1.一种具有多种部分埋层的绝缘层上硅LDMOS晶体管，包括衬底层、全埋氧层、硅膜层和器件顶层，其特征在于：所述的衬底层设置在底部，衬底层采用掺杂类型为P型掺杂的硅材料；衬底层上面为全埋氧层，全埋氧层采用二氧化硅；全埋氧层上面为硅膜层；所述的硅膜层包括源区、硅体、漂移区、漏区、部分埋氧层、部分P型硅埋层和部分N型硅埋层；部分埋氧层采用二氧化硅材料，源区、硅体、漂移区、漏区、部分P型硅埋层和部分N型硅埋层都为硅材料；硅体包围源区，源区和硅体位于硅膜层一侧，且源区位于硅膜层顶部；漂移区、漏区、部分埋氧层、部分P型硅埋层和部分N型硅埋层位于硅膜层另一侧，且漏区位于硅膜层顶部；

漏区、部分埋氧层、部分P型硅埋层和部分N型硅埋层之间的区域为漂移区；部分埋氧层和部分N型硅埋层位于全埋氧层上面，且部分埋氧层比部分N型硅埋层靠近硅体设置；部分N型硅埋层远离硅体的界面与漂移区的同侧界面对齐；部分P型硅埋层位于部分埋氧层上面，部分埋氧层长度大于部分P型硅埋层长度；沟道由源区和漂移区之间的硅体提供；部分埋氧层和部分P型硅埋层靠近硅体的界面与漂移区的同侧界面对齐；部分N型硅埋层掺杂浓度大于漂移区掺杂浓度；源区和漏区的掺杂类型为N型；硅体掺杂类型为P型；漂移区掺杂类型为N型；

所述的器件顶层包括栅氧化层、扩展氧化层、源电极、栅电极和漏电极；栅氧化层位于沟道上面，采用二氧化硅；扩展氧化层位于漂移区上面，采用二氧化硅；栅氧化层被栅电极全部覆盖；源电极位于源区上面，漏电极位于漏区上面。

2.根据权利要求1所述的一种具有多种部分埋层的绝缘层上硅LDMOS晶体管，其特征在于：所述的衬底和源电极都接地。

3.根据权利要求1或2所述的一种具有多种部分埋层的绝缘层上硅LDMOS晶体管，其特征在于：所述的衬底层长40μm，掺杂浓度为4×1014cm-3；全埋氧层厚度为2μm；硅膜层厚度为

2μm；源区和漏区的长度均为5μm，掺杂浓度为1×1020cm-3；硅体掺杂浓度为1×1017cm-3；漂移区靠近硅体的界面与漏区靠近硅体的界面之间的距离为28μm；沟道长为2μm；栅氧化层厚

40nm；扩展氧化层厚80nm；硅体的长度为7μm；部分埋氧层厚度为0.6μm，长度为15μm；部分P型硅埋层的厚度、长度和掺杂浓度分别为0.4μm、7μm和1×1015cm-3；部分N型硅埋层的厚度、长度和掺杂浓度分别为0.2μm、16μm和1×1017cm-3；漂移区掺杂浓度为9×1015cm-3。

4.根据权利要求3所述的一种具有多种部分埋层的绝缘层上硅LDMOS晶体管，其特征在于：所述源区和漏区的厚度均为0.2μm，栅氧化层长2μm，扩展氧化层长29μm。