1.一种带有绝缘埋层的图像传感器，所述图像传感器形成于支撑衬底表面，所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域，其特征在于：驱动电路区域的支撑衬底表面具有顶层半导体层，顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；

驱动电路区域中的晶体管形成于顶层半导体层中，光学传感区域中的光学传感器件形成于支撑衬底中并通过绝缘隔离层与支撑衬底电学隔离；

所述驱动电路区域和光学传感区域彼此通过绝缘侧墙横向隔离。

2.根据权利要求1所述的带有绝缘埋层的图像传感器，其特征在于，所述绝缘隔离层以及绝缘埋层的材料各自独立地选自于氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的任意一种。

3.一种权利要求1所述带有绝缘埋层的图像传感器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底表面依次具有连续的绝缘埋层和连续的顶层半导体层：去除光学传感区域的顶层半导体层和绝缘埋层；

在支撑衬底的光学传感区域中形成底部绝缘隔离层；

在支撑衬底的光学传感区域中形成环绕光学传感区域的隔离沟槽，沟槽底部至露出底部绝缘隔离层；

在沟槽中填充绝缘介质，以形成侧部绝缘隔离层；

在由底部绝缘隔离层和侧部绝缘隔离层围拢的支撑衬底内形成光学传感器件；

在驱动电路区域的顶层半导体层中制作晶体管。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成底部绝缘隔离层的步骤进一步包括： 将成核离子注入至支撑衬底的光学传感区域中， 对注入区域退火，以形成底部绝缘隔离层。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成光学传感器件的步骤进一步包括： 向支撑衬底的光学传感区域注入掺杂离子，在支撑衬底表面形成导电类型与支撑衬底相反的掺杂层。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述支撑衬底的材料为单晶硅，所述底部绝缘隔离层和侧部绝缘隔离层的材料各自独立地选自于氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的任意一种。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述去除光学传感区域的顶层半导体层和绝缘埋层，以及在支撑衬底中形成隔离沟槽的工艺采用等离子体辅助刻蚀工艺。