1.一种具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管，包括：ITO基底，以及依次层叠于基底之上的空穴注入层、空穴传输层、超薄发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；其特征在于，所述空穴注入层是一种NP型复合空穴注入层，所述NP型复合空穴注入层包括N型半导体材料和P型半导体材料，所述N型半导体材料为C60，所述P型半导体材料为MoO3；N型半导体材料厚度0.5～3.0nm，所述P型半导体材料MoO3的厚度为3.0nm。

2.根据权利要求1所述的具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的材料为9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑，所述空穴传输层的厚度为

60nm。

3.根据权利要求2所述的具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的材料为2,4,6-三[3-(二苯基膦氧基)苯基]-1,3,5-三唑，所述电子传输层的厚度为40nm。

4.根据权利要求3所述的具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层材料mCP和电子传输层材料PO-T2T之间形成界面激基复合物。

5.根据权利要求1或4所述的具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管，其特征在于，所述超薄发光层的材料为乙酰丙酮酸二(4-(4-叔丁基-苯基)-噻吩[3,2-c]吡啶-C2,N)合铱(III)，所述超薄发光层的厚度为0.1nm。

6.根据权利要求1或4所述的具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管，其特征在于，所述电子注入层的材料为锂喹啉配合物，所述电子注入层的厚度为2nm。

7.根据权利要求1或4所述的具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管，其特征在于，所述阴极的材料为高纯度金属Al，所述阴极的厚度为120nm。

8.根据权利要求1或4所述的具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管，其特征在于，N型半导体材料厚度具体为0.5、1.0、2.0和3.0nm中的一种。

9.根据权利要求8所述的具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管，其特征在于，N型半导体材料厚度为2.0nm。