1.一种晶圆加工装置，其特征在于，包括：

支撑台，所述支撑台包括支撑面，所述支撑台中具有冷却剂，所述冷却剂为过饱和溶液，所述过饱和溶液内溶质的溶解度随温度升高而增加，且所述过饱和溶液内溶质溶解时吸收热量；

位于所述支撑面表面的研磨垫；

安装晶圆并带动晶圆与所述研磨垫相互摩擦的研磨头。

2.如权利要求1所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述过饱和溶液内溶质的材料为硝酸钾、硝酸铵或氯化铵。

3.如权利要求1所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述支撑台中具有冷却腔；

所述冷却剂位于所述冷却腔中。

4.如权利要求3所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述冷却腔为封闭的腔体；

或者，所述晶圆加工装置还包括：与所述冷却腔连通的进水设备和抽水设备，所述进水设备向所述冷却腔中通入冷却剂，所述抽水设备抽出所述冷却腔中的冷却剂。

5.如权利要求3所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述冷却腔为冷却管道；

或者所述冷却腔为柱体，所述冷却腔的中心轴与所述支撑台的中心轴重合。

6.如权利要求3所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述冷却腔的体积为2L～3L；所述冷却腔沿垂直于所述支撑面方向上的尺寸大于1cm。

7.如权利要求1所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述支撑台中具有容纳腔，所述容纳腔中具有冷却容器；所述冷却剂位于所述冷却容器中。

8.如权利要求7所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述冷却容器为封闭容器。

9.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1至权利要求8任意一项所述的晶圆加工装置；

提供晶圆，所述晶圆包括相对的处理面和背面；

将所述晶圆安装于所述研磨头，使所述晶圆背面与所述研磨头贴合；

将所述晶圆安装于所述研磨头之后，使研磨垫对晶圆处理面进行第一研磨处理。

10.如权利要求9所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述第一研磨处理之后，还包括：更换所述冷却剂；更换所述冷却剂之后，使研磨垫对所述晶圆进行第二研磨处理；

所述支撑台中具有冷却腔，所述冷却剂位于所述冷却腔中；所述晶圆加工装置还包括：与所述冷却腔连通的进水设备和抽水设备，所述进水设备用于向所述冷却腔中通入冷却剂，所述抽水设备用于抽出所述冷却腔中的冷却剂；

更换所述冷却剂的步骤包括：提供待更换冷却剂；通过所述抽水设备抽出所述支撑台中的冷却剂；抽出所述支撑台中的冷却剂之后，通过所述进水设备向所述支撑台中通入所述待更换冷却剂。