1.一种WO3纳米片阵列的制备方法，其特征在于具体步骤为：

(1)将0.1～1g的草酸溶解于10～60mL无水乙醇中，在真空手套箱中称取0.1～0.5g六氯化钨。混合均匀后加入到容积为60mL的聚四氟乙烯反应釜中，然后将清洗干净的基底材料斜放入聚四氟乙烯反应釜中，100～220℃条件下反应6h，取出反应釜自然冷却后，用蒸馏水清洗基底材料表面，60℃真空干燥，待用。

(2)将步骤(1)合成的电极材料放入马弗炉中，以5℃/min的升温速率升温至300～600℃，退火100～150min，待其降到室温后取出，得到基底表面长有WO3纳米片阵列的光电极。

所述化学试剂纯度均为化学纯以上纯度。

2.根据权利要求1所述的一种制备WO3纳米片阵列的方法，其特征在于：步骤(1)中的基底材料为FTO导电玻璃、硅片、碳布中的一种。