1.一种Cu2O纳米阵列的制备方法，其特征在于具体步骤为：

将含有8.8 mmol/L ～ 0.115 mol/L的NH4F溶液、7.54 mol/L ～ 7.99 mol/L的甘油水溶液与0.027 mmol/L ～ 0.295 mmol/L的十六烷基三甲基溴化铵溶液的混合溶液作为电解液；以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在15 V～35 V的阳极氧化电压下氧化2 ～18分钟，即在Cu片上获得光电压达到0.0801 V～0.2693 V的Cu2O纳米阵列。