1.一种半导体激光器光源体最佳温度检测装置，其特征在于：它包括

光源体，内含有现有激光器中的发光体，放置于安装盒内；

主控制模块，包括设置于安装盒内部的功率晶体管和用于检测光源体温度的温度传感器，通过温度传感器的输出电压与主控制模块内部设定电压值的比较结果，控制功率晶体管的开关状态实现对发光体的主导温控作用；

辅助控制模块，包括设置于安装盒底部的黄铜底座，黄铜底座上设置有用于检测光源体温度的热敏电阻，通过热敏电阻阻值与控辅助控制模块设定电阻阻值的比较结果，控制黄铜底座半导体制冷片通电状态实现对光源体的辅助温控作用；

光检测模块，用于对激光器输出的主光进行强度检测，获得光强信号；

激光器模块，接收来自中央处理器的命令根据其控制激光器输出主光；

稳频模块，接收来自光检测模块的光强信号处理后反馈至激光器模块，实现对激光器输出主光的稳频；

中央处理器，发送纠偏电压信号至激光器模块，接收来自光检测模块的光强信号和来自温度传感器及热敏电阻的温度信号，通过分析处理纠偏电压信号、光强信号和温度信号确定光源体的控温温度，并根据控温温度调整主控制模块的内部设定电压值和辅助控制模块的设定电阻值。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器光源体最佳温度检测装置，其特征在于主控制模块包括温度传感器、第一稳压器、第一比较器、同相跟随器和功率晶体管；第一稳压器的输入端连接第一电源，第一稳压器的输出端连接至第一比较器的正极输入端；第一稳压器的输出至第一比较器的电压值为内部设定电压值；温度传感器检测光源体温度并输出电压至第一比较器的负极输入端；第一比较器的输出端经同相跟随器连接至功率晶体管的基极；功率晶体管的收集极连接至电源，功率晶体管的发射极接地。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器光源体最佳温度检测装置，其特征在于功率晶体管和电源之间串联有多个辅助晶体管。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器光源体最佳温度检测装置，其特征在于功率晶体管和多个辅助晶体管分别均匀设置于安装盒内的四角。

5.根据权利要求2所述的半导体激光器光源体最佳温度检测装置，其特征在于第一稳压器的输出端经第三定值电阻和第一可调电阻接地，第一可调电阻的调整端头连接至第一比较器的正极输入端。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器光源体最佳温度检测装置，其特征在于所述辅助控制模块包括第二稳压器、仪表放大器、运算放大器、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管和半导体制冷片；第二稳压器的输入端连接第二电源，第二稳压器的第一输出端经第一定值电阻和用于反映黄铜底座温度的数字电位器接地；第二稳压器的第二输出端经第二定值电阻和第二可调电阻接地；第二可调电阻为设定电阻；仪表放大器的同相端连接于第一定值电阻和数字电位器之间；仪表放大器的反向端连接于可调电阻的接头上；

第二三极管的集电极连接第三电源，第二三极管的发射极连接第四三极管的集电极，第四三极管的发射极接地；第一三极管的集电极连接第二三极管的基极，第一三极管的发射极连接第三三极管的集电极，第三三极管的发射极连接第四三极管的基极，第一三极管的基极和第三三极管的基极连接；仪表放大器的输出端经运算放大器连接于第一三极管的基极和第三三极管的基极之间；半导体制冷片一端分别连接于第二三极管的发射极与第四三极管的集电极之间及第一三极管的发射极与第三三极管的集电极之间；半导体制冷片另一端接地。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器光源体最佳温度检测装置，其特征在于仪表放大器通过第三可调电阻实现放大倍数的可调。

8.根据权利要求6所述的半导体激光器光源体最佳温度检测装置，其特征在于所述热敏电阻包括多个且均匀布置于黄铜底座上，中央处理器接收来自多个热敏电阻的电阻值信息并对其进行比较，并发送控制命令至数字电位器，使数字电位器的阻值为数值相近的两个热敏电阻电阻值的平均值。