1.一种半导体激光器光源体最佳温度检测方法，其特征在于包括以下步骤：

中央控制器检测不同温度下光源体的光强信号，获得光源体温度与光强的对应曲线；

在光源体温度与光强的对应曲线的拐点处温度值为中间值取多个指定温度；中央控制器控制光源体达到某一个指定温度时发送纠偏电压，由此获得每一个指定温度对应有各自的纠偏电压和光检电压的对应曲线；计算每个纠偏电压和光检电压的对应曲线中光检电压为最大值和最小值的两点之间的斜率；选取最大斜率对应的指定温度最为光源体的控温温度。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器光源体最佳温度检测方法，其特征在于包括以下步骤：第一步，中央控制器仅通过主控制模块输出不同的温度给光源体，同时通过光检测模块进行光强采样，获得光源体温度与光强的对应曲线；

第二步，分析光源体温度与光强的对应关系，获得光源体温度和光强关系的拐点数据，中央处理器控制主控制模块稳定输出拐点数据的温度值于光源体温度；

第三步，以拐点数据的温度值为中间值确定光源体温度的调整范围，在调整范围内均匀选取多个指定温度，中央处理器启动辅助控制模块控制光源体温度达到指定温度；

第四步，当光源体温度达到某一个指定温度时，中央处理器给激光器模块发送连续递增的纠偏电压信号，经光检测模块获得对应的光强信号后反馈至稳频模块中，经稳频模块处理再反馈给激光器模块，中央处理器访问激光器模块获得对应的反映光强的光检电压信号，从而获得纠偏电压和光检电压的对应曲线；每一个指定温度对应有各自的纠偏电压和光检电压的对应曲线；

第五步，求取每一个纠偏电压和光检电压的对应曲线中光检电压为最大值和最小值的两点之间的斜率；

第六步，比较多个斜率，获得其中的最大值，并选取最大斜率对应的指定温度最为光源体的控温温度。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器光源体最佳温度检测方法，其特征在于第五步中包括判断选择纠偏电压和光检电压的对应曲线上光检电压最接近于0的点，同时记录该点对应纠偏电压的值，将此点位置定为原点；于纠偏电压所在轴上分别在原点两边各取相同数量的点，对这上述点数据进行曲线拟合，得出相应的斜率值。

4.根据权利要求2所述的半导体激光器光源体最佳温度检测方法，其特征在于第五步中采集得到的纠纷电压输出值经中央处理器与PC通信存入单独的文件中，并对其进行处理，得出纠偏电压和光检电压对应曲线中光检电压最大值VH及最小值VL，并记录此时刻相应的纠偏电压Hf及Lf，即中央处理器D/A输出的电压值。

5.根据权利要求2所述的半导体激光器光源体最佳温度检测方法，其特征在于纠纷电压和光检电压为一一对应的关系。