欢迎来到知嘟嘟! 联系电话:13095918853 卖家免费入驻,海量在线求购! 卖家免费入驻,海量在线求购!
知嘟嘟
我要发布
联系电话:13095918853
知嘟嘟经纪人
收藏
专利号: 2016103328888
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
价格&联系人
年费信息
委托购买

摘要:

权利要求书:

1.一种非对称双栅无结场效应晶体管,其特征在于,包括顶部栅极(1)、底部栅极(2)、源区(3)、漏区(4)、栅介质层(5)、沟道重叠区(6)、沟道非重叠区(7);其中,所述顶部栅极(1)与底部栅极(2)位于沟道上下位置,并且为非对称结构;顶部栅极(1)与底部栅极(2)存在重叠区域,该重叠区域对应沟道重叠区(6);沟道重叠区(6)位于沟道非重叠区(7)之间,源区(3)、漏区(4)位于沟道非重叠区(7)的两侧,顶部栅极(1)与沟道之间、底部栅极(2)与沟道之间分别设有栅介质层(5)。

2.根据权利要求1所述的一种非对称双栅无结场效应晶体管,其特征在于:源区(3)、漏

19

区(4)与沟道重叠区(6)、沟道非重叠区(7)的掺杂浓度是一致的,浓度为1×10 到1×

1020cm-3。

3.根据权利要求1所述的一种非对称双栅无结场效应晶体管,其特征在于:所述的沟道重叠区(6)与两个沟道非重叠区(7),其三者的宽度一致。