1.一种新型非对称双栅隧穿场效应晶体管，其特征在于：包括顶部栅电极(1)、底部栅电极(2)、源电极(3)、漏电极(4)、p型重掺杂口袋区(5)、沟道重叠区(6)、第一n型重掺杂区(7a)、第二n型重掺杂区(7b)、第一高K栅介质材料(8a)、第二高K栅介质材料(8b)、二氧化硅氧化层(9)；所述顶部栅电极(1)与底部栅电极(2)位于沟道上下位置，为非对称结构，并且顶部栅电极(1)与底部栅电极(2)具有不同的功函数；顶部栅电极(1)与底部栅电极(2)存在重叠区域沟道重叠区(6)；顶部栅电极(1)与沟道重叠区(6)之间设有第二高K栅介质材料(8b)，顶部栅电极(1)、沟道重叠区(6)、第二高K栅介质材料(8b)的两端对齐，p型重掺杂口袋区(5)和第一n型重掺杂区(7a)设置在沟道重叠区(6)的两侧；p型重掺杂口袋区(5)、沟道重叠区(6)和第一n型重掺杂区(7a)位于第二n型重掺杂区(7b)之上；第一高K栅介质材料(8a)与p型重掺杂口袋区(5)两端对齐，设置在第二n型重掺杂区(7b)下方，源电极(3)与p型重掺杂口袋区(5)和第二n型重掺杂区(7b)同时形成欧姆接触；漏电极(4)与第一n型重掺杂区(7a)和第二n型重掺杂区(7b)同时形成欧姆接触；源电极(3)与第二高K栅介质材料(8b)之间设有二氧化硅氧化层(9)；漏电极(4)与第二高K栅介质材料(8b)之间设有二氧化硅氧化层(9)；第一高K栅介质材料(8a)的两侧也分别设有二氧化硅氧化层(9)。

2.根据权利要求1所述非对称双栅隧穿场效应晶体管，其特征在于：p型重掺杂口袋区(5)的掺杂浓度为1×1020cm-3。

3.根据权利要求1所述非对称双栅隧穿场效应晶体管，其特征在于：沟道区(6)的掺杂浓度不大于1×1017cm-3。

4.根据权利要求1所述非对称双栅隧穿场效应晶体管，其特征在于：第一n型重掺杂区(7a)与第二n型重掺杂区(7b)掺杂一致，且浓度为1×1019-1×1020cm-3。