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专利号: 2016100606311
申请人: 陕西科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕
更新日期:2025-05-09
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)将密度为0.4~0.6g/cm3的多孔碳/碳复合材料切割成圆形薄片,得到C/C试样;

2)将粒径为100~200nm的SiC、粒径为0.8~1μm的二硅化钼粉体按质量比(0.5~1):(2~4)分散于去离子水中,搅拌均匀后得到悬浮液;

3)将悬浮液与C/C试样一同加入到水热反应釜内衬中,并加入无水乙醇后,于160~220℃进行水热反应24~48h,水热反应结束后取出C/C试样并洗涤,干燥;

4)将干燥后的试样在均热炉中采用等温化学气相渗透致密化,等温化学气相渗透的沉积温度为1100℃,沉积时间为60~80h,采用天然气作为碳源,并且天然气流量为1.5~

2.5m3/h;

5)将致密化后的试样于氩气气氛保护下2500℃石墨化处理2h,得到SiC改性C/C-MoSi2复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法,其特征在于,步骤1)中圆形薄片的直径为1~4cm,厚度为1~1.5cm。

3.根据权利要求1所述的一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法,其特征在于,步骤2)中粒径为0.8~1μm的二硅化钼和粒径为100~200nm的SiC粉体具体通过以下方法制得:将二硅化钼粉体、SiC粉体混合分别湿法球磨24~48h,得到粒径为0.8~1μm的二硅化钼和粒径为100~200nm的SiC粉体。

4.根据权利要求1所述的一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法,其特征在于,步骤2)中搅拌均匀是通过磁力搅拌10~12h实现的。

5.根据权利要求1所述的一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法,其特征在于,步骤2)中碳化硅、二硅化钼的总质量与去离子水的比为(2.5~5)g:(150~200)mL。

6.根据权利要求1所述的一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法,其特征在于,步骤3)中加入悬浮液与无水乙醇的体积比为30~40mL:1~10mL。

7.根据权利要求1所述的一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法,其特征在于,步骤3)中干燥是在电热鼓风干燥箱中并在60~100℃下烘干2~4h。