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专利号: 2015108631726
申请人: 淮南师范学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种多功能钼酸镧铯晶体的制备方法,其特征在于:钼酸镧铯晶体的化学式为CsLa1–xNdx(MoO4)2,其中Nd的掺杂浓度范围为0≤x≤0.15,该晶体属于四方晶系,光学单轴晶体,该晶体采用助熔剂法生长,以Cs2MoO4作为助熔剂,助熔剂与CsLa1–xNdx(MoO4)2的摩尔比为0.2~3,具体的制备方法为:按Cs2MoO4与CsLa1–xNdx(MoO4)2为0.2~3的摩尔比,准确称量Cs2CO3、La2O3、Nd2O3、MoO3并研磨混合均匀,放入Φ60×50mm3的铂坩锅中,升温至1000℃熔化并恒温5h,测定饱和点温度后引入籽晶,此后保持降温速率0.5~3℃/天,转速5~30转/分钟,即制得所述钼酸镧铯晶体。

2.根据权利要求1所述的一种多功能钼酸镧铯晶体的制备方法,其特征在于:制备方法中所用的原料均为分析纯或优于分析纯。