1.一种含Pr、亚微米TiN的芯片堆叠互连材料，其特征在于：其成分及质量百分比为：

稀土元素Pr含量为0.01～0.5％，亚微米TiN颗粒为0.05～8％，其余为In。

2.一种权利要求1所述的一种含Pr、亚微米TiN的芯片堆叠互连材料的制备方法，其特征在于：可以采用生产复合金属材料的常规制备方法得到。

3.一种权利要求1所述的一种含Pr、亚微米TiN的芯片堆叠互连材料的制备方法，其特征在于：首先采用机械研磨法制备In-Pr中间合金粉末，其次混合In-Pr粉末、In粉末、混合松香树脂、触变剂、稳定剂、活性辅助剂和活性剂并充分搅拌，最后添加亚微米TiN颗粒，充分搅拌制备膏状含Pr和亚微米TiN颗粒的互连材料。

4.一种利用权利要求3所述方法得到的一种含Pr、亚微米TiN的芯片堆叠互连材料形成高强度互连焊点的方法，其特征在于：使用膏状含Pr和亚微米TiN颗粒的互连材料，采用喷印技术在芯片表面制备凸点，在一定压力(1MPa～10MPa)和温度(170℃～260℃)条件下实现三维空间的芯片垂直互连，形成高强度互连焊点。