1.一种含La、纳米Ni的三维封装芯片堆叠互连材料，其特征在于：其成分及质量百分比为：稀土元素La含量为0.01～0.5％，纳米Ni颗粒为2～6％，其余为In。

2.一种权利要求1所述的含La、纳米Ni的三维封装芯片堆叠互连材料的制备方法，其特征在于：可以采用生产复合金属材料的常规制备方法得到。

3.一种权利要求1所述的含La、纳米Ni的三维封装芯片堆叠互连材料的制备方法，其特征在于：首先采用机械研磨制备In-La中间合金粉末，其次混合In-La粉末、In粉末、混合松香树脂、触变剂、稳定剂、活性辅助剂和活性剂并充分搅拌，最后添加纳米Ni颗粒，充分搅拌制备膏状含La和纳米Ni颗粒的互连材料。

4.一种利用权利要求3所述方法得到的含La、纳米Ni的三维封装芯片堆叠互连材料形成高强度互连焊点的方法，其特征在于：使用膏状含La和纳米Ni颗粒的互连材料，采用精密丝网印刷和回流焊工艺在芯片表面制备凸点，在一定压力1MPa～10MPa和温度

170℃～260℃条件下实现三维空间的芯片垂直互连，形成高强度互连焊点。