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专利号: 2024111057331
申请人: 重庆邮电大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2026-04-06
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.双频太赫兹幅度调制单元,其特征在于,包括介质层和位于所述介质层表面的金属超表面结构,所述金属超表面结构由十字型金属片、U型金属片和二氧化钒贴片形成;

所述U型金属片有四个,分别设置于所述十字型金属片构成的四个象限内;

在每个所述象限内,所述U型金属片的开口方向朝向所述十字型金属片的一条边,并使得所述十字型金属片和所述U型金属片形成的图案中心对称;

每个所述U型金属片通过二氧化钒贴片与所述十字型金属片连接,从而通过所述二氧化钒贴片的导电率的变化实现对高频或低频太赫兹波的幅度调制。

2.根据权利要求1所述的双频太赫兹幅度调制单元,其特征在于,所述十字型金属片和所述U型金属片的材料为铝。

3.根据权利要求1所述的双频太赫兹幅度调制单元,其特征在于,所述介质层的材料为聚酰亚胺、高阻硅或石英。

4.根据权利要求1所述的双频太赫兹幅度调制单元,其特征在于,所述金属超表面结构位于所述介质层的正中心区域。

5.根据权利要求1所述的双频太赫兹幅度调制单元,其特征在于,所述U型金属片的开口方向垂直于所述十字型金属片的一条边。

6.根据权利要求1所述的双频太赫兹幅度调制单元,其特征在于,所述介质层的横切面形状为多边形、圆形或椭圆形。

7.根据权利要求1所述的双频太赫兹幅度调制单元,其特征在于,所述介质层的横切面形状为正方形,尺寸为150μm×150μm;所述介质层厚度为25μm,所述金属超表面结构的厚度为0.2μm。

8.根据权利要求5所述的双频太赫兹幅度调制单元,其特征在于,所述十字型金属片的两条互相垂直的金属条的尺寸相同,所述金属条的长为100μm,宽为5μm。

9.根据权利要求1所述的双频太赫兹幅度调制单元,其特征在于,所述U型金属片的底部厚度为10μm。

10.双频太赫兹幅度调制器,其特征在于,包括若干个权利要求1-9任意一项所述的双频太赫兹幅度调制单元,若干个所述双频太赫兹幅度调制单元呈周期排列结构。