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专利号: 2024101641393
申请人: 曲阜师范大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2026-01-27
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种能够实现双波段自旋选择吸收的可调谐THz吸收器,该可调谐THz吸收器由若干个在XY平面上呈周期性排列的结构单元组成,取所述结构单元的几何中心为O点,过该点的沿水平和竖直方向的两条相互垂直的边为OX轴和OY轴,且垂直于两条边的为OZ轴,其特征在于:每个所述结构单元均由下层的金属板(1)、中间衬底层(2)以及附着在所述中间衬底层上的两条石墨烯片(3)和位于上层的L型金属单元(4)组成;

所述L型金属单元(4)由沿OX轴方向分布的三组金属棒组合构成,三组金属棒组合的长度都不相同,但厚度和宽度都相同;

第一组金属棒组合由第一金属棒(6)与第二金属棒(7)组成,第二组金属棒组合由第三金属棒(8)与第四金属棒(9)组成,第三组金属棒组合由第五金属棒(10)与第六金属棒(11)组成;每一组金属棒组合中的金属棒都是相互垂直的,所述第一组金属棒组合与第二组金属棒组合绕OZ轴旋转的角度一致,所述第三组金属棒组合与第一、二组金属棒组合绕OZ轴旋转的角度不一致;所述L型金属单元(4)的所述第二组金属棒组合中的第四金属棒(9)与第三组金属棒组合中的第五金属棒(10)的夹角记为θ,所述夹角θ的调节范围为92°-112°。

2.根据权利要求1所述的一种能够实现双波段自旋选择吸收的可调谐THz吸收器,其特征在于:在所述结构单元的两侧附加有与所述石墨烯片(3)的两端相连的电极(5)。

3.根据权利要求1所述的一种能够实现双波段自旋选择吸收的可调谐THz吸收器,其特征在于:对圆偏振光的自旋选择吸收率最优的所述夹角θ=102°。

4.根据权利要求1所述的一种能够实现双波段自旋选择吸收的可调谐THz吸收器,其特征在于:所述金属板(1)与中间衬底层(2)的长和宽分别为p

5.根据权利要求1所述的一种能够实现双波段自旋选择吸收的可调谐THz吸收器,其特征在于:所述中间衬底层(2)为二氧化硅衬底。

6.根据权利要求1所述的一种能够实现双波段自旋选择吸收的可调谐THz吸收器,其特征在于:所述L型金属单元(4)与金属板(1)均为金质材质。

7.根据权利要求1所述的一种能够实现双波段自旋选择吸收的可调谐THz吸收器,其特征在于:所述结构单元具有手性特征。