1.一种多芯片焊接结构，包括基板(10)；设置在基板(10)顶面的第一芯片(11)；设置在第一芯片(11)顶面的第二芯片(12)，第一芯片(11)和第二芯片(12)的顶面均设置有焊球，焊球之间通过金线焊接，其特征在于，所述第一芯片(11)与第二芯片(12)的贴合面设置有用于粘合并缓冲第一芯片(11)和第二芯片(12)的贴层结构，第一芯片(11)和基板(10)之间通过相同的贴层结构固定。

2.根据权利要求1所述的多芯片焊接结构，其特征在于，所述贴层结构为涂覆在第一芯片(11)顶面和底面的若干相互平行的第一涂胶层(20)，基板(10)和第二芯片(12)分别与第一芯片(11)的底面和顶面粘合固定。

3.根据权利要求2所述的多芯片焊接结构，其特征在于，所述第一涂胶层(20)呈直线涂覆，间隔通道(21)形成一段矩形带状结构，相邻的两个间隔通道(21)之间形成用于通风的间隔通道(21)。

4.根据权利要求1所述的多芯片焊接结构，其特征在于，所述贴层结构为涂覆在第一芯片(11)顶面和底面的第二涂胶层(30)和换向涂胶层(31)，基板(10)的壁面涂覆若干相互平行的第二涂胶层(30)，相邻的两个第二涂胶层(30)通过换向涂胶层(31)相互连接，多个第二涂胶层(30)和换向涂胶层(31)形成一段迂回路径，第一芯片(11)通过迂回路径与基板(10)粘合固定。

5.根据权利要求4所述的多芯片焊接结构，其特征在于，所述第二涂胶层(30)形成矩形带状结构，换向涂胶层(31)形成半环形结构，换向涂胶层(31)分别将相邻的两个第二涂胶层(30)同侧的端头连接，相邻的两个第二涂胶层(30)之间形成用于通风的引流通道(32)。

6.根据权利要求1所述的多芯片焊接结构，其特征在于，所述贴层结构为涂覆在第一芯片(11)顶面和底面的第三涂胶层(40)和衔接涂胶层(41)，相邻两个第三涂胶层(40)通过衔接涂胶层(41)连接。

7.根据权利要求6所述的多芯片焊接结构，其特征在于，所述第三涂胶层(40)在基板(10)的壁面呈S形轨迹涂覆，衔接涂胶层(41)呈直线涂覆，衔接涂胶层(41)将相邻的两个第三涂胶层(40)端点处连接，相邻的两个第三涂胶层(40)之间形成换气通道(42)。