1.一种I2C测试控制电路，其特征在于，包括IO接口单元和若干电压源，所述IO接口单元的SDA端子通过第零电阻接地，所述IO接口单元的SDAI端子通过第一电阻接地，所述IO接口单元包括LVS_LH单元、第零MOS管、相互串接的第一缓冲器、第二缓冲器和第三缓冲器，所述LVS_LH单元的输入端通过第一反相器外接有SDAO端子，所述LVS_LH单元的输出端与第零MOS管的栅极相连，所述第一缓冲器的输入端外接有SDA端子，所述第一缓冲器的输出端与所述第二缓冲器的输入端相连，所述第二缓冲器的输出端与所述第三缓冲器的输入端相连，所述第三缓冲器的输出端外接有SDAI端子。

2.根据权利要求1所述的一种I2C测试控制电路，其特征在于，所述第一缓冲器包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管，所述第八MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极均与所述LVS_LH单元的输入端相连，所述第八MOS管的漏极与所述第二MOS管的源极相连，且第八MOS管的漏极与所述第六MOS管的源极相连，所述第六MOS管的栅极与所述第七MOS管的栅极相连，所述第二MOS管的漏极与所述第三MOS管的漏极相连且与所述第七MOS管的栅极相连，所述第三MOS管的源极与所述第一MOS管的漏极相连，且第一MOS管的漏极与第七MOS管的源极相连，所述第一MOS管的栅极与所述第三MOS管的栅极相连，所述第八MOS管的源极、第七MOS管的漏极、所述第五MOS管的源极均外接VDD端子，所述第五MOS管的栅极与所述第四MOS管的栅极相连，且第五MOS管的栅极和所述第六MOS管的栅极相连，所述第五MOS管的漏极和所述第四MOS管的漏极均与LVS_LH单元的输出端相连，第一MOS管的源极、第六MOS管的漏极以及第四MOS管的源极接地。

3.根据权利要求2所述的一种I2C测试控制电路，其特征在于，所述第一MOS管、所述第三MOS管、第四MOS管和第七MOS管均设置为N型MOS管。

4.根据权利要求2所述的一种I2C测试控制电路，其特征在于，所述第二MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第八MOS管均设置为P型MOS管。

5.根据权利要求1所述的一种I2C测试控制电路，其特征在于，所述LVS_LH单元包括第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第十七MOS管、第二反相器和第三反相器，所述第十MOS管的栅极与所述第十一MOS管的漏极相连，第十MOS管的漏极与第十三MOS管的漏极相连，第十一MOS管的栅极与第十MOS管的漏极相连，且第十一MOS管的漏极与第十二MOS管的漏极相连，第十二MOS管的源极与第十六MOS管的漏极相连，第十六MOS管的栅极与第十七MOS管的栅极相连，第十七MOS管的栅极外接有PROBA端子，第十二MOS管的栅极与第二反相器的输出端相连，所述第二反相器的输入端与所述第三反相器的输出端相连，所述第三反相器的输入端作为LVS_LH单元的输入端，第十三MOS管的栅极与第二反相器的输入端相连，第十四MOS管的栅极与第十五MOS管的栅极相连且与第十一MOS管的漏极相连，第十四MOS管的漏极与第十五MOS管的漏极相连作为LVS_LH单元的输出端，第十七MOS管的源极、第十一MOS管的源极、第十MOS管的源极和第十五MOS管的源极外接VDDA端子，第十六MOS管的源极、第十四MOS管的源极接地。

6.根据权利要求5所述的一种I2C测试控制电路，其特征在于，第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十六MOS管设置为N型MOS管。

7.根据权利要求5所述的一种I2C测试控制电路，其特征在于，第十MOS管、第十一MOS管、第十五MOS管、第十七MOS管设置为P型MOS管。