1.一种基于分子印迹传感器的呋喃西林检测方法，其特征在于：所述方法将分子印迹膜修饰的电极为工作电极，铂片电极为辅助电极，Ag/AgCl电极为参比电极，组成三电极体系，用于对呋喃西林的高选择性快速检测;所述分子印迹传感器的具体构建方法如下：

(1)玻碳电极预处理：用0.50、0.05μm的氧化铝粉末将玻碳电极在麂皮上抛光至镜面，而后依次用去离子水和乙醇分别超声清洗1min，每次超声后用去离子水淋洗干净，得到预处理的玻碳电极；

(2)以石墨粉为原材料，采用Hummers改进法制备氧化石墨烯；

(3)将0.2g氧化石墨烯超声分散于20mL pH＝8的PBS缓冲液中，得到氧化石墨烯的悬浮液；将步骤(1)中预处理过的玻碳电极置于上述氧化石墨烯的分散液中，以铂片电极为辅助电极，Ag/AgCl电极为参比电极，利用循环伏安法，以扫速50mV/s，电压范围为-1.4V–0V，扫描5–25圈，得到还原氧化石墨烯修饰电极；

(4)将还原氧化石墨烯修饰电极置于5.0mmol/L的HAuCl4溶液中，利用恒电流法在-1.0mV下沉积300s–700s将金纳米粒子沉积至电极上得到金纳米粒子/还原氧化石墨烯修饰电极；

(5)以醋酸缓冲液为溶剂，呋喃西林作为目标分子、邻苯二胺作为功能单体，得到聚合溶液；将金纳米粒子/还原氧化石墨烯修饰电极置于上述聚合溶液中，利用循环伏安法将分子印迹膜电聚合于电极上，之后取出淋洗干净待用；

(6)将(5)得到的修饰电极在配置好的甲醇、乙酸混合液中洗脱15–30min，制得分子印迹膜/金纳米粒子/还原氧化石墨烯修饰电极，即为检测呋喃西林的传感器。

2.根据权利要求1所述基于分子印迹传感器的呋喃西林检测方法，其特征在于：所述步骤(5)中呋喃西林与邻苯二胺的摩尔比例为：1:6。

3.根据权利要求1所述基于分子印迹传感器的呋喃西林检测方法，其特征在于：所述步骤(5)中循环伏安法参数为：扫描电压范围为：0V–0.8V，扫描速率50mV/s，扫描圈数15圈。

4.根据权利要求1所述基于分子印迹传感器的呋喃西林检测方法，其特征在于：所述步骤(6)中洗脱条件为：V甲醇:V乙酸＝8:2。

5.根据权利要求1所述基于分子印迹传感器的呋喃西林检测方法，其特征在于：所述传感器检测呋喃西林的步骤包括：a.采用去离子水配制不同浓度的呋喃西林水溶液；

b.将上述分子印迹膜修饰电极置于呋喃西林水溶液中吸附20min；

c.采用上述吸附后的电极作为工作电极，铂片电极为辅助电极，Ag/AgCl电极为参比电极构成三电极体系，将该体系置于2.5mmol/L铁氰化钾溶液中；

d.采用[Fe(CN)6]3-/4-作为氧化还原探针，利用差分脉冲伏安法，得到吸附不同浓度呋喃西林后对应的电流值;以洗脱呋喃西林后的电流值减去吸附呋喃西林后的电流值所得到的峰电流值为纵坐标，以呋喃西林的浓度为横坐标作标准曲线；

e.将分子印迹膜修饰电极置于未知浓度的呋喃西林水溶液中进行吸附，然后构成三电极体系置于铁氰化钾溶液中检测得到其对应的电流值，根据标准曲线计算得出呋喃西林的浓度。

6.根据权利要求5所述基于分子印迹传感器的呋喃西林检测方法，其特征在于：所述差分脉冲伏安法的电化学参数为：扫描电位范围为：-0.2V–0.6V，扫描速率为100mV/s。