1.一种基于CT拓扑的频率和幅度独立可调控SIW滤波器，其特征在于：包括由上至下依次设置的顶面金属层（1）、介质基板（2）以及底面金属层（3）；所述介质基板（2）上竖直贯穿开设若干个金属化通孔形成金属化通孔阵列（4），金属化通孔与顶面金属层（1）以及底面金属层（3）相连通，通过金属化通孔阵列（4）形成以CT拓扑形式分布的三个谐振腔，三个谐振腔的中心分别设置有一个微扰金属化通孔（10），三个谐振腔两两之间均通过感性耦合窗（15）相互耦合，所述感性耦合窗（15）由金属化通孔组成，微扰金属化通孔（10）以及感性耦合窗（15）的金属化通孔贯穿介质基板（2）且与顶面金属层（1）和底面金属层（3）相连；所述顶面金属层（1）对应三个谐振腔中心的位置设置有三个环形槽（11），顶面金属层（1）上设置有可调变容管组（5），所述可调变容管组（5）的一端与环形槽（11）内侧的顶面金属层（1）连接并通过微扰金属化通孔（10）连接到底面金属层（3），另一端与环形槽（11）外侧的顶面金属层（1）连接；所述底面金属层（3）上设置有输入输出馈电端口（12），底面金属层（3）对应三个环形槽（11）的位置设置有三个环形石墨烯层（6）；所述可调变容管组（5）的电容值进行改变，所述环形石墨烯层（6）的片电阻保持不变，控制所述滤波器的中心频率移动，则同一中心频率下的传输幅度不变；所述可调变容管组（5）的电容值保持不变，所述环形石墨烯层（6）的片电阻保持改变，控制所述滤波器的中心频率不变，则该中心频率下的传输幅度改变。

2.根据权利要求1所述基于CT拓扑的频率和幅度独立可调控SIW滤波器，其特征在于：所述以CT拓扑形式分布的三个谐振腔为相交的三个圆形腔或多边形腔，所述三个谐振腔的形状相同且中心对称，相邻两个谐振腔之间共用部分腔壁。

3.根据权利要求2所述基于CT拓扑的频率和幅度独立可调控SIW滤波器，其特征在于：所述的输入输出馈电端口（12）沿一条直线设置有两个，输入输出馈电端口（12）包括接地共面波导（13）以及相连的弧形槽线（14），两个输入输出馈电端口（12）的弧形槽线（14）包围在两个谐振腔的环形石墨烯层（6）外部，接地共面波导（13）将弧形槽线（14）引至底面金属层（3）的两侧边缘，介质基板（2）在谐振腔对应通过接地共面波导（13）的位置打开，并在接地共面波导（13）的两侧布置金属化通孔与所述金属化通孔阵列（4）相接。

4.根据权利要求3所述基于CT拓扑的频率和幅度独立可调控SIW滤波器，其特征在于：所述输入输出馈电端口（12）由两个谐振腔的腔体侧壁中点引出，且所述两个输入输出馈电端口（12）的结构镜像对称；所述弧形槽线（14）由连续曲线组成或者直线拼接组成。

5.根据权利要求1所述基于CT拓扑的频率和幅度独立可调控SIW滤波器，其特征在于：所述感性耦合窗（15）由圆柱、正方体或长方体金属化通孔组成。

6.根据权利要求1所述基于CT拓扑的频率和幅度独立可调控SIW滤波器，其特征在于：所述微扰金属化通孔（10）为圆柱、正方体或长方体金属化通孔。

7.根据权利要求1所述基于CT拓扑的频率和幅度独立可调控SIW滤波器，其特征在于：所述环形槽（11）为圆形或多边形，所述可调变容管组（5）由相同的多个变容管组成。

8.根据权利要求7所述基于CT拓扑的频率和幅度独立可调控SIW滤波器，其特征在于：所述环形石墨烯层（6）为圆形或多边形，环形石墨烯层（6）的形状与环形槽（11）相同。

9.根据权利要求1所述基于CT拓扑的频率和幅度独立可调控SIW滤波器，其特征在于：所述环形石墨烯层（6）设置于底面金属层（3）中，且厚度与底面金属层（3）厚度相同。