1.一种稀土掺杂GaN纳米薄膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法基于一反应器（1），此反应器（1）一侧在竖直方向上依次设置有第一进气通道（2）、第二进气通道（3）和第三进气通道（4），另一侧具有排气通道（5），一衬底（8）位于第一进气通道（2）、第二进气通道（3）、第三进气通道（4）与排气通道（5）之间；

包括以下步骤：

步骤一、在反应器（1）中第一进气通道（2）、第三进气通道（4）内分别设置有镓金属蒸发池（6）、稀土铕金属蒸发池（7），所述衬底（8）设置于反应器（1）的底部；

步骤二、以氮气和氢气的混合气体作为载气混合有氨气从第二进气通道（3）进入反应器（1）内，氯化氢作为反应气体分别流过设置有镓金属蒸发池（6）、稀土铕金属蒸发池（7）的第一进气通道（2）、第三进气通道（4），从而在衬底（8）上形成铕掺GaN单晶薄膜；所述镓金属蒸发池（6）的温度为850~900℃，所述稀土铕金属蒸发池（7）的温度为600~1000℃；

步骤三、将步骤二获得的铕掺GaN单晶薄膜装入炉中退火，退火条件为：氮气或和氨气，退火温度为1000~1200 ℃，退火时间为0.5~4 h。

2.根据权利要求1所述的稀土掺杂GaN纳米薄膜的制备方法，其特征在于：所述稀土铕金属蒸发池（7）设置于镓金属蒸发池（6）上方。

3.根据权利要求1所述的稀土掺杂GaN纳米薄膜的制备方法，其特征在于：所述衬底（8）上的铕掺GaN单晶薄膜生长速率控制在60~120μm/h。