1.一种稀土掺杂Sb基相变薄膜材料，其特征在于它的化学分子式为SbxAy；其中0

0.92，0

2.根据权利要求1所述的稀土掺杂Sb基相变薄膜材料，其特征在于：所述A为Er或Pr或Sm。

3.一种薄膜制备方法，其特征在于：该薄膜使用如权利要求1或2所述的稀土掺杂Sb基相变薄膜材料制成，并且该方法的步骤如下：（a）制备Sb靶；

（b）制备稀土靶材，并将稀土靶材切割后贴置于Sb靶表面；

（c）对贴置稀土的Sb靶进行磁控溅射，制备得到需要的薄膜；其中，所述薄膜的中稀土的掺杂量通过Sb靶表面贴置的稀土靶材的数量来调控。

4.根据权利要求3所述的一种薄膜制备方法，其特征在于：所述稀土为Er或Pr或Sm。

5.根据权利要求3所述的一种薄膜制备方法，其特征在于：在所述的步骤（b）中，稀土靶材切割成规则的扇形结构，并且扇形所对的圆心角的度数为30o。

6.根据权利要求3所述的一种薄膜制备方法，其特征在于：在所述的步骤（c）中，磁控溅射时的衬底为SiO2/Si(100)基片；和/或磁控溅射时的电源采用射频电源，且溅射功率为

25-35W；和/或磁控溅射采用的溅射气体为Ar气。

7.根据权利要求6所述的一种薄膜制备方法，其特征在于：所述Ar气的纯度为体积百分比99.999%以上，气体流量为15～45SCCM，溅射气压为0.10～0.35 Pa。

8.根据权利要求3所述的一种薄膜制备方法，其特征在于：制备得到的薄膜的总厚度为

50nm。

9.根据权利要求3所述的一种薄膜制备方法，其特征在于：所述的稀土靶材和Sb靶材的纯度在原子百分比99.999%以上，本底真空度不大于1×10-4 Pa。

10.根据权利要求3所述的一种薄膜制备方法，其特征在于：所述薄膜的厚度通过磁控溅射的溅射时间来调控。