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专利号: 2022104892021
申请人: 重庆工商大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 有机化学〔2〕
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.CdS形貌与S空位调节C‑H活化构筑惰性化学键,催化材料制备方法为:以乙二胺作为协调剂溶剂热法制备CdS纳米棒、CdS纳米片以及CdS纳米球,在800℃对CdS纳米棒进行煅烧

30分钟制备具有S空位的六方相CdS纳米棒(Sv‑CdS NRs),光催化高效C‑H活化构筑C‑C/C‑N/C‑S键的方法包括:在无碱性添加剂和氧化剂的存在下,光催化剂对四氢呋喃的C‑H活化转化为2‑乙烯基杂环衍生物以及附带产氢具有优秀的活性与选择性,Sv‑CdS NRs优秀的光催化性能归因于S空位带来的更多活性位点以及六方晶相所诱导的晶格畸变产生的极化偶极矩和内化电场,这有效地提高了光生电子和空穴的分离效率,同时,Sv‑CdS NRs在其他的C‑H活化构筑C‑C/C‑N/C‑S键反应类型中均有不错的表现。

2.根据权利要求1所述的CdS形貌与S空位调节C‑H活化构筑惰性化学键,其特征在于:在无光照时无催化活性,在光促进下催化活性较高。

3.根据权利要求1所述的CdS形貌与S空位调节C‑H活化构筑惰性化学键,其特征在于:所采用光照颜色可为红、橙、黄、绿、蓝、靛、紫中的一种或几种混合光,催化剂经过五次循环后依旧保持良好的光催化活性且容易回收利用。

4.根据权利要求1所述的CdS形貌与S空位调节C‑H活化构筑惰性化学键,其特征在于:在无形貌调控和S空位引入时具有一定的催化活性;在形成六方相CdS纳米棒结构和S空位引入后反应催化活性大幅度提高。

5.根据权利要求1所述的CdS形貌与S空位调节C‑H活化构筑惰性化学键其特征在于:在无碱性添加剂和氧化剂条件下,催化反应也可以高效的转化率进行。

6.根据权利要求1所述的CdS形貌与S空位调节C‑H活化构筑惰性化学键,其特征在于:所述的杂环有机化合物包括:四氢呋喃、1,3‑二氧五环、1,4‑二氧六环、吡喃,所述的芳香族化合物包括:苯乙炔、2‑氟苯乙炔、4‑氯苯乙炔、4‑溴苯乙炔、4‑乙炔基甲苯、2‑乙炔基吡啶、

4‑甲氧基苯乙炔、苯乙烯、4‑甲基苯乙烯。

7.根据权利要求1所述的CdS形貌与S空位调节C‑H活化构筑惰性化学键,其特征在于:所述的构筑C‑C/C‑N/C/S键的化合物包括:N,N‑二甲基甲酰胺、甲苯、苄胺、苄硫醇、乙基苯。

8.根据权利要求1所述的CdS形貌与S空位调节C‑H活化构筑惰性化学键,其特征在于:催化体系中所采用的氩气或者二氧化碳压力为加压或1 atm。