1.一种KC预插层的碳纳米薄片(KC‑PCN)的制备方法，其特征在于，所述KC预插层的碳纳米薄片(KC‑PCN)制备方法包括：前驱体的制备：室温下，将顺丁烯二酸酐(MAH)和氢氧化钾(KOH)加入研钵中，研磨

5min。

‑1

将前驱体转移至管式炉中以2℃min 的速率在N2气氛下升温至700℃,保温煅烧30min。

得到的黑色粉末用1摩尔每升的盐酸溶液和去离子水洗涤至pH为7，烘箱烘干12h，得到最终产物。

2.如权利要求1所述的KC预插层的碳纳米薄片(KC‑PCN)的制备方法，所述前驱体的制备：室温下，将顺丁烯二酸酐(MAH)和氢氧化钾(KOH)按照1：1的摩尔比加入研钵中，研磨

5min。

3.一种由权利要求1～2任意一项所述的KC预插层的碳纳米薄片(KC‑PCN)的制备方法制备的KC预插层的碳纳米薄片(KC‑PCN)。

4.一种电极，其特征在于，取由权利要求1～2任意一项所述KC预插层的碳纳米薄片(KC‑PCN)的制备方法制备得到的KC‑PCN 30mg，乙炔黑，聚偏氟乙烯(PVDF)，以8：1：1的质量比分散在乙醇中形成匀浆，将浆料均匀地涂抹在5cm×6cm石墨纸上，120℃过夜烘干。

5.一种由权利要求4所述的电极组装的电容去离子装置。

6.一种安装有权利要求5所述的电容去离子装置的太阳能能源系统。

7.一种安装有权利要求5所述的电容去离子装置的工业化海水淡化生产淡水系统。