1.一种具有光伏发电和温差发电功能的装置，包括太阳能电池片和温差发电机构，所述太阳能电池片具有背面电极，所述温差发电机构具有热端和冷端，其特征在于，所述装置还包括导热连接膜，所述背面电极设于所述导热连接膜的正面，所述温差发电机构的所述热端连接于所述导热连接膜的背面。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述热端通过所述导热连接膜粘接于所述背面电极的背面。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述导热连接膜为导热硅脂、导热胶、液态金属或钎焊层中的任意一种；和/或，所述导热连接膜完全覆盖所述背面电极的表面或所述热端的正面。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述温差发电机构包括P型半导体发电元件和N型半导体发电元件，所述P型半导体发电元件和所述N型半导体发电元件分别具有距所述背面电极较近的第一端和距所述背面电极较远的第二端；所述温差发电机构还包括用于将所述P型半导体元件的第一端和所述N型半导体元件的第一端导通连接的第一导体。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述温差发电机构还包括第一陶瓷层和第二陶瓷层，所述第一陶瓷层设于所述导热连接膜的背面，所述P型半导体发电元件和所述N型半导体发电元件位于所述第一陶瓷层和所述第二陶瓷层之间，所述第一导体与所述第一陶瓷层相连接或接触。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述温差发电机构还包括用于将所述P型半导体元件的第二端和所述N型半导体元件的第二端导通连接的第二导体，至少所述P型半导体发电元件的数量为多个，或至少所述N型半导体发电元件的数量为多个，所述P型半导体发电元件和所述N型半导体发电元件交错设置且通过所述第一导体和所述第二导体依次串联。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第一陶瓷层和所述第二陶瓷层分别为氧化铝陶瓷；和/或，所述第一导体和所述第二导体分别为铜、铝、铜合金或铝合金；和/或，所述P型半导体发电元件为P型碲化铋半导体，所述N型半导体发电元件为N型碲化铋半导体。

8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置还包括外部电源，所述装置具有温差发电状态和对所述太阳能电池片进行降温的制冷状态，在所述温差发电状态时，所述外部电源关闭，所述热端的温度高于所述冷端的温度；在所述制冷状态时，所述外部电源为所述温差发电装置供电，所述热端的温度低于所述冷端的温度。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述太阳能电池为PERC电池、TOPCon电池或HJT电池。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述太阳能电池包括自上至下依次层叠的减反层、N型硅层、P型硅基体及钝化层，所述太阳能电池还包括设于所述减反层上的正面电极，所述正面电极穿透所述减反层而和所述N型硅层欧姆接触，所述背面电极覆盖所述钝化层且其局部和所述P型硅基体欧姆接触。