1.用于提升衍射性光波导曝光电子束场强的电路，其特征在于，包括依次电相连的低压变换模块、高压并联模块，所述低压变换模块的输入端为连接低压信号的引脚，所述低压变换模块的输出端为输出N路中压信号的引脚，所述高压并联模块包括N个相互并联的高压子模块，所述高压子模块的输出端为输出10KV～25KV高压信号的引脚，相邻的高压子模块之间连接有延时模块；其中，低压信号的电压为18V～36V，中压信号的电压为390V～410V，N＝2；

低压变换模块的输入端为24V电压输入引脚，中压信号的引脚为400V输出引脚；

两个高压子模块分别记为第一高压子模块、第二高压子模块；

还包括接线端子Header2，第一高压子模块包括高压包*1、电容C13、C14、C15、C16、C19、电阻R34、R35、R38、R39、R41、R42、N沟道增强型MOS管Q10、二极管D1、保险丝F2、NPN三极管Q9、PNP三极管Q11、变压器T4、二极管VD1，第二高压子模块包括高压包*2、电容C22、C23、C24、C25、C26、电阻R50、R51、R52、R53、R54、R55、N沟道增强型MOS管Q13、二极管D3、保险丝F3、NPN三极管Q12、PNP三极管Q14、变压器T5、二极管VD2，高压包*1的引脚1、C14、C13、F2、第一路中压信号输出端依次电相连，高压包*1的引脚2、Q10的d极电相连,C14与C13之间的节点、C16、地依次电相连；高压包*1的引脚2、R35、C15、高压包*1的引脚1与C14之间的节点电相连，高压包*1的引脚2、D2的阴极电相连，D2的阳极接地；Q10的g极、R39、T4的次级绕组的一端电相连，T4的次级绕组的另一端接地，R41的一端接R39与T4的次级绕组的一端之间的节点，R41的另一端接地，C19的一端接R39与T4的次级绕组的一端之间的节点，C19的另一端接地，R42的一端接Q10的g极与R39之间的节点，R42的另一端接地，驱动信号PWM‑DRIVE1、R38的一端电相连，R38的另一端、Q9的b极电相连，Q9的c极、R34、5V电源输入端电相连，Q9的e极、T4的初级绕组的一端电相连，R38的另一端、Q11的b极电相连，Q11的e极接Q9的e极与T4的初级绕组的一端之间的节点，Q11的c极接地，T4的初级绕组的另一端接地；高压包*1的引脚3、VD1的阳极电相连，VD1的阴极接VD2的阴极，VD2的阳极接高压包*2的引脚3，VD1的阴极与VD2的阴极之间的节点接Header2的引脚1；高压包*1的引脚4接高压包*2的引脚4，高压包*1的引脚4与高压包*2的引脚4之间的节点接Header2的引脚2；高压包*2的引脚1、C23、C22、F3、第二路中压信号输出端依次电相连，高压包*2的引脚2、Q13的d极电相连,C23与C22之间的节点、C25、地依次电相连；高压包*2的引脚2、R51、C24、高压包*2的引脚1与C23之间的节点电相连，高压包*2的引脚2、D3的阴极电相连，D3的阳极接地；Q13的g极、R53、T5的次级绕组的一端电相连，T5的次级绕组的另一端接地，R54的一端接R53与T5的次级绕组的一端之间的节点，R54的另一端接地，C26的一端接R53与T5的次级绕组的一端之间的节点，C26的另一端接地，R55的一端接Q13的g极与R53之间的节点，R55的另一端接地，驱动信号PWM‑DRIVE2引脚、R52的一端电相连，R52的另一端、Q12的b极电相连，Q12的c极、R50、5V电源输入端电相连，Q12的e极、T5的初级绕组的一端电相连，R52的另一端、Q14的b极电相连，Q14的e极接Q12的e极与T5的初级绕组的一端之间的节点，Q14的c极接地，T5的初级绕组的另一端接地；其中，高压包*1、高压包*2的型号均为HS‑05‑200。

2.根据权利要求1所述的用于提升衍射性光波导曝光电子束场强的电路，其特征在于，高压并联模块包括芯片反向器INV1、反向器INV2、反向器INV3，异或门XOR1，芯片U2、芯片U3、芯片U4，U3的PWM‑DRIVE1输出引脚、INV1、INV2、XOR1、INV3、U2、U4依次电相连，U3的PWM‑DRIVE1输出引脚还与U2电相连，INV2与XOR1之间的节点与U4电相连；其中，U2、U4的型号是ET3157，U3的型号是NE555，INV1、INV2、INV3的型号均为SN74LVC1G04，XOR1的型号为SN74LVC1G86。

3.根据权利要求2所述的用于提升衍射性光波导曝光电子束场强的电路，其特征在于，高压并联模块包括电容C17、C18、电阻R30、R32、R36，U3的引脚1接地,U3的引脚2接U3的引脚

6，U3的引脚3、C17、PWM‑DRIVE1输出端依次电相连，U3的引脚4接5V电源输入端，U3的引脚5、C18、地依次电相连，5V电源输入端、R30、R32、R36、地依次电相连，U3的引脚6接R32与R36之间的节点，U3的引脚7接R30与R32之间的节点。

4.根据权利要求3所述的用于提升衍射性光波导曝光电子束场强的电路，其特征在于，高压并联模块包括电阻R31、R33、R37、R40、R43、R44、R45、R46、R47、R48、R49、电容C20、C21，INV1的引脚1、INV2的引脚1、INV3的引脚1均悬空，INV1的引脚2、INV2的引脚2、INV3的引脚2均接地，INV1的引脚5、INV2的引脚5、INV3的引脚5均接5V电源输入端，PWM‑DRIVE1输出引脚、R49、INV1的引脚3依次电相连，INV1的引脚4、R47、R48、INV2的引脚3依次电相连，R47与R48之间的节点、C21、地依次电相连，INV2的引脚4、R45、R46、XOR1的引脚3电相连，R45与R46之间的节点、C20、地依次电相连，R45与R46之间的节点接U4的引脚4；XOR1的引脚1、R43、PWM‑DRIVE1输出引脚依次电相连，XOR1的引脚2接地，XOR1的引脚5接5V电源输入端，XOR1的引脚4、R44、INV3的引脚3依次电相连，INV3的引脚4、R31、U2的引脚1依次电相连，U2的引脚

2、R33、R37、U4的引脚1依次电相连，U2的引脚3接地，U2的引脚5悬空，U2的引脚6接5V电源输入端，U4的引脚2、R40、驱动信号PWM‑DRIVE2引脚依次电相连，U4的引脚3接地，U4的引脚5悬空，U4的引脚6接5V电源输入端。

5.根据权利要求4所述的用于提升衍射性光波导曝光电子束场强的电路，其特征在于，低压变换模块包括芯片U1、滑动变阻器VR1、电阻R2、R4、R6、R11、R15、R18、R20、R21、R23、电容C1、C2、C3、C4、C10，U1的引脚1、C4、R15、U1的引脚3依次电相连；U1的引脚2接VR1的端子2，VR1的端子3接地，VR1的端子2、R4、地依次电相连，VR1的端子2、C1、地依次电相连，VR1的端子1、R2、R6、U1的引脚15依次电相连；U1的引脚4、R20、地依次电相连，U1的引脚4、R11、R2与R6之间的节点依次电相连，U1的引脚4、C2、R2与R6之间的节点依次电相连；U1的引脚5、C10、地依次电相连，U1的引脚6、R21、地依次电相连；U1的引脚7接地；U1的引脚8、R23、12V电源输入端依次电相连；U1的引脚9接地；U1的引脚10接地；U1的引脚11、R18、12V电源输入端依次电相连；U1的引脚12接12V电源输入端；U1的引脚13、C3、地依次电相连；U1的引脚14接U1的引脚13，U1的引脚14接R2与R6之间的节点，U1的引脚16接地；其中，芯片U1型号为TL494。