1.一种低电压双块晶体电光Q开关，其特征在于：由两块相同的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体按照一定的配对方位组合而成，每块晶体均采用特殊角度切割，切型为 、和 ，其中x、y、z轴分别代表晶体的各晶轴，b、l分别代表切割晶体的宽度和长度方向，角度θ的取值范围为 。

2.根据权利要求1所述的低电压双块晶体电光Q开关，其特征在于：所述晶体长度方向为通光方向，通光方向的两端面抛光并镀制激光增透膜；晶体厚度方向加电场，厚度方向的两晶面镀制金属膜。

3.根据权利要求1所述的低电压双块晶体电光Q开关，其特征在于：两块晶体通过机械夹具或者光学胶合剂按照厚度/宽度方向相互垂直、长度方向取向一致固定。

4.根据权利要求1所述的低电压双块晶体电光Q开关，其特征在于：将两块晶体按照相同方位放置，即厚度、宽度、长度方向分别平行，然后在两块晶体之间放置应用波长的1/2波片，1/2波片的长轴和短轴与晶体的厚度或宽度方向成45°角。

5.权利要求1‑4任一项所述的低电压双块晶体电光Q开关在激光谐振腔中的应用，其特征在于：在激光谐振腔中应用时，通光面与激光传播方向垂直，晶体的厚度或宽度方向和偏振镜的透振方向成45°角，两块晶体上施加的电压极性相反。