1.一种低电压独立加压式电光Q开关，其特征在于：由铌酸锂晶体或者钽酸锂晶体切割而成，切型为 、 或 ，其中x、y、z轴分别代表晶体的各晶轴，b、l分别代表切割晶体的宽度和长度方向，θ角满足关系式：，其中， ，L为通光方向的长度，no和ne为电

光晶体的自然双折射率， 为激光波长，且θ角取锐角。

2.根据权利要求1所述的低电压独立加压式电光Q开关，其特征在于：所述电光晶体的长度方向为通光方向，两端面抛光并镀制激光增透膜。

3.根据权利要求1所述的低电压独立加压式电光Q开关，其特征在于：沿晶体厚度方向加电场，厚度方向的两晶面镀制金属膜。

4.根据权利要求1‑3任一项所述的低电压独立加压式电光Q开关，其特征在于：所述电光Q开关在不加1/4波片或检偏镜的情况下，独立实现加压式电光调Q。

5.权利要求4所述的低电压独立加压式电光Q开关在激光谐振腔中应用。

6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于：在激光谐振腔中应用时，激光垂直于通光面入射，晶体厚度或宽度方向和偏振镜的透振方向成45°角。