1.氨解法制备高纯氮化硅粉体方法，其特征在于，包括以下步骤：（ 1） 、氮化硅前驱体制备

（ 1.1） 、向反应容器中加入二氯乙烷、己烷摩尔质量任意配比的溶剂和四氯化硅，控制容器中的温度为－25～‑35℃，容器内的压强为当前温度氨气刚开始液化的值；

（ 1.2） 、向溶剂中融入液氨，并减小容器中的压强，使得液氨气化沸腾，扰动整个反应体系，获得氮化硅前驱体；

（ 1.3） 、将氨气收集加压液化，再次通入溶剂中，实现氨气循环；

（ 2） 、前驱体焙烧

（ 2.1） 、将获得氮化硅前驱体进行灼烧，灼烧产生的气体收集净化处理；

（ 2.2） 、灼烧后的氮化硅前驱体进行破碎处理；

（ 2.3） 、破碎后的氮化硅前驱体进行焙烧处理，获得氮化硅粉体。

2.根据权利要求1所述的氨解法制备高纯氮化硅粉体方法，其特征在于：所述溶剂和四氯化硅之间的摩尔配比任意。

3.根据权利要求1所述的氨解法制备高纯氮化硅粉体方法，其特征在于：所述液氨通入的速度为1～5L/min，所述液氨气化速度为0.8～4.5L/min。

4.根据权利要求1所述的氨解法制备高纯氮化硅粉体方法，其特征在于：所述灼烧温度控制为120～180℃，时间为30min。

5.根据权利要求1所述的氨解法制备高纯氮化硅粉体方法，其特征在于：所述焙烧温度控制为800～1200℃，时间为60min。

6.根据权利要求1所述的氨解法制备高纯氮化硅粉体方法，其特征在于：所述灼烧和焙烧均通入保护气体，所述保护气体为氮气、氦气或氩气中的一种。