1.一种基于斩控阻抗器的无变压器式统一潮流控制器，其特征在于，包括串联斩控式阻抗器、并联斩控式阻抗器，任意非零数的所述串联斩控式阻抗器和任意非零数的并联斩控式阻抗器通过端部自由组合连接，所述串联斩控式阻抗器、并联斩控式阻抗器均通过载波移相PWM调制策略控制，每个所述串联斩控式阻抗器均是由多个串联型斩控式阻抗器级联构成，每个所述并联斩控式阻抗器是由多个并联型斩控式阻抗器级联构成；

所述串联型斩控式阻抗器、并联型斩控式阻抗器均包括单极性直接AC/AC变换器和阻抗器；

所述单极性直接AC/AC变换器具体构成为：包括由绝缘栅双极晶体管S1、绝缘栅双极晶体管S2形成的上桥臂，由绝缘栅双极晶体管S3、绝缘栅双极晶体管S4形成的下桥臂，所述绝缘栅双极晶体管S1的发射极连接绝缘栅双极晶体管S2的集电极，所述绝缘栅双极晶体管S2的发射极连接绝缘栅双极晶体管S3的发射极，所述绝缘栅双极晶体管S3的集电极连接绝缘栅双极晶体管S4的发射极，所述绝缘栅双极晶体管S4的集电极连接电容Csc一个极板、电容Cn一个极板，所述电容Cn另一个极板分别连接电容Cp一个极板、电容Cm一个极板，所述电容Csc另一个极板、电容Cp另一个极板均连接绝缘栅双极晶体管S1的集电极，所述电容Cm另一个极板连接绝缘栅双极晶体管S3的发射极；

所述绝缘栅双极晶体管S1、绝缘栅双极晶体管S2、绝缘栅双极晶体管S3、绝缘栅双极晶体管S4采用载波移相PWM调制；

所述上桥臂与下桥臂的调制比相同，均在0‑1内变化，所述下桥臂三角载波相对上桥臂三角载波移相180°，调制比与载波经比较电路产生绝缘栅双极晶体管S1、绝缘栅双极晶体管S2、绝缘栅双极晶体管S3、绝缘栅双极晶体管S4的驱动信号；

所述串联型斩控式阻抗器具体构成为：所述单极性直接AC/AC变换器的绝缘栅双极晶体管S1的发射极连接电抗器Ls一端，所述电抗器Ls另一端与绝缘栅双极晶体管S3的集电极之间形成对外输出端口；

所述串联斩控式阻抗器具体构成为：相邻两个所述串联型斩控式阻抗器通过前一个电抗器Ls另一端与下一个绝缘栅双极晶体管S3的集电极连接的方式连接，形成串联斩控式阻抗器；

所述并联型斩控式阻抗器具体构成为：所述单极性直接AC/AC变换器的绝缘栅双极晶体管S1的发射极连接电抗器Lp一端，所述电抗器Lp另一端连接绝缘栅双极晶体管S3的集电极，所述电抗器Lp两端引出导线形成对外输出端口；

所述并联斩控式阻抗器具体构成为：任意一个所述并联型斩控式阻抗器的一个外输出端口连接相邻所述并联型斩控式阻抗器的一个外输出端口，形成并联斩控式阻抗器。