1.基于跨导切换技术的宽频可编程增益放大器，其特征在于，包括依次连接的输入匹配网络、高速开关选通逻辑、可变增益放大网络以及输出匹配网络，所述增益放大器的电路采用源极简并型结构；所述可变增益放大网络电路采用无电感式结构，通过调节跨导用以实现可变增益的效果；所述高速开关选通逻辑包括端口1、端口2、端口3和端口4；

所述可变增益放大网络包括：负载电阻、多层输入晶体管对、源极简并网络、电流源逻辑以及另一对晶体管M3和M4；

所述负载电阻包括电阻R1与R2，所述电阻R1与R2并联，其公共端接工作电压VDD，R1与R2的另一端分别与所述另一对晶体管M3和M4的漏极相连接，晶体管M3与M4共栅极联接偏置电压VBIAS；晶体管M3与M4用于增加输出端口与多层输入晶体管对的隔离；

所述多层输入晶体管对包括多层输入晶体管对M1和M2，所述多层输入晶体管对M1和M2的漏极分别与所述另一对晶体管M3和M4的源极相连接，其源极分别与所述源极简并网络的一个端子相连接、而其栅极分别与所述高速开关选通逻辑的端口3和端口4相连接；

所述源极简并网络包括电阻Rs、电容C3及两个可变电容C1和C2，其中可变电容C1与C2的容值相等，两个所述可变电容C1和C2串联，其公共端接控制电压VC；所述电阻Rs、电容C3和上述串联结构进行并联，此时形成的两个公共点分别作为所述源极简并网络的输入输出端口；

所述电流源逻辑用于降低所述多层输入晶体管对M1、M2关态时的跨导；所述电流源逻辑采用的晶体管为大沟道长度的晶体管，所述电流源逻辑的结构也为多层结构，其层数与所述多层输入晶体管对的层数相同，每层包含两个电流源，电流源的接入与否受数控信号控制；所述电流源逻辑每层的两个电流源的正极共交流地，负极分别与所述源极简并网络的一个端子相连接；

所述输入匹配网络和输出匹配网络通过电阻、电感、寄生电容组成的T型匹配网络进行阻抗匹配；

所述输入匹配网络包括电阻R5和R6、可变电感L3和ESD；所述可变电感L3的两端分别连接R5和R6，其中R5和R6的阻值相等为50Ω；电阻R5和R6的另一端分别与差分信号Vin+与Vin‑相连接，此时形成的两节点分别与两个ESD的一端相连接，并作为该网络的输出端口；

两个ESD用于补偿电感，同时可实现带宽的大幅度展宽，其另一端接交流地，此时输入匹配网络的两个端子分别与所述高速开关选通逻辑的端口1和端口2连接；

所述输出匹配网络用于实现差分输出匹配和容性寄生的抵消，包括可变电感L4、电阻R3和R4、晶体管M5和M6、ESD以及电流源；所述可变电感L4的两端分别与R3和R4相连接，用于输出匹配；所述电阻R3和R4的阻值相等为50Ω，R3与R4的另一端与所述晶体管M5、M6的漏极连接；晶体管M5与M6的栅极分别连接所述另一对晶体管M4、M3的漏极，作为该网络的输入信号；M5与M6的源极联接电流源，所述电流源的另一端接交流地；所述ESD包括两个ESD，用于补偿电感，两个ESD的一端分别与所述晶体管M5、M6的漏极相连接，并且Vout+与Vout‑该对节点作为所述输出匹配网络的输出端口，两个ESD的另一端连接交流地。