1.一种三硒化二铟纳米带的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.在管式炉中，将硒源加热到220～360℃，将铟源加热到400～630℃；

所述硒源为硒粉，所述铟源为负载氧化铟的衬底；

S2.密封管式炉的腔体并抽真空后，以流量为20～80sccm的氩气为载气，将管式炉腔体压强恢复至常压，再升温至900～980℃，经过沉积、降温，得到所述三硒化二铟纳米带。

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述负载有氧化铟的衬底为ITO导电玻璃、负载氧化铟的石英玻璃或负载氧化铟的硅片。

3.根据权利要求2所述制备方法，其特征在于，所述负载氧化铟的石英玻璃或负载氧化铟的硅片，通过如下方法制得：

将氧化铟粉末分散于乙醇中，经超声处理后，涂覆于石英玻璃或硅片表面，干燥后即得到所述负载氧化铟的石英玻璃或负载氧化铟的硅片。

4.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述氧化铟粉末与石英玻璃或硅片的质量比为1：(1.5～4)。

5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S1中所述硒源的加热温度为325～340℃，铟源的加热温度为550～580℃。

6.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S2中所述氩气的流量为50sccm。

7.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S2中所述沉积为沉积3～10h。

8.一种三硒化二铟纳米带，其特征在于，根据权利要求1～7任一项所述制备方法制得。

9.根据权利要求8所述三硒化二铟纳米带，其特征在于，所述三硒化二铟纳米带的宽度为150～300nm，长度为10～30μm，厚度为25～35nm。

10.权利要求8所述三硒化二铟纳米带在制备纳米器件中的应用。