1.一种硒化铋BiSe纳米线/纳米带的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、以Bi2Se3粉末和Bi粉作为生长源，有/无镀Au膜的石英片作为生长衬底，然后将Bi2Se3粉末置于化学气相沉积设备反应区域的加热中心，Bi粉置于加热中心上游，石英衬底置于加热中心下游；所述Bi2Se3粉末和Bi粉的质量比为1 : 1，所述Bi粉距离加热中心2~10cm，无镀Au膜的石英衬底距离加热中心9~14cm，有镀Au膜的石英衬底距离加热中心9~11cm；

S2、排除反应区域内的氧气，再输入稀有气体作为载气，将反应区域的气压维持在一定范围后，加热到一定温度经反应而制备得到硒化铋BiSe纳米线/纳米带。

2.根据权利要求1所述的一种硒化铋BiSe纳米线/纳米带的制备方法，其特征在于，无镀Au膜的石英衬底距离加热中心9~12cm，有镀Au膜的石英衬底距离加热中心9~10 cm。

3.根据权利要求1所述的一种硒化铋BiSe纳米线/纳米带的制备方法，其特征在于，步骤S2中，反应的温度为640~680℃，时间为0.5~6 h。

4.根据权利要求3所述的一种硒化铋BiSe纳米线/纳米带的制备方法，其特征在于，反应的温度为640~680℃，时间为1~2 h。

5.根据权利要求1所述的一种硒化铋BiSe纳米线/纳米带的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述稀有气体包括Ar气，气流量控制在50~100 sccm。

6.根据权利要求1所述的一种硒化铋BiSe纳米线/纳米带的制备方法，其特征在于，步骤S2中，将反应区域的气压维持在150 Pa以下。

7.由权利要求1-6任一项所述的制备方法制备得到的硒化铋BiSe纳米线/纳米带。