1.一种g-C3N4/SnS纳米异质结的合成方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)称取一定量的尿素，将其置于玛瑙研钵中研磨后转移至刚玉坩埚中，尿素在刚玉坩埚中的填充度为(50-60)％；

(2)将步骤(1)中的刚玉坩埚加盖后放入马弗炉中煅烧，以3℃/min的速率升温，在600℃下保温4h，然后冷却至室温，取出，收集产物g-C3N4；

(3)将SnCl2·2H2O溶于去离子水中，充分搅拌后获得均匀的SnCl2溶液，所得溶液中Sn2+的浓度为0.2mol/L，在SnCl2溶液中加入步骤(2)制备出的g-C3N4纳米粉，充分搅拌混合均匀，记为悬浊液A；

(4)将Na2S·9H2O溶于水中，使所得溶液中S2-的浓度为0.2mol/L，然后将Na2S溶液以

0.5mL /min滴加速率加入步骤(3)制备的悬浊液A中，滴加结束后搅拌2h使其反应充分；其中，Na2S溶液的滴加体积等于悬浊液A中SnCl2溶液的体积；

(5)将步骤(4)的产物转移至高速离心分离机中进行离心分离，离心分离后取固体沉淀物，对得到的固体沉淀物依次采用去离子水和无水乙醇进行交替洗涤3次，再将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在60℃下干燥10h，获得g-C3N4/SnS纳米异质结；所得g-C3N4/SnS纳米异质结中g-C3N4的质量分数为97％，SnS的质量分数为3％；该g-C3N4/SnS纳米异质结中包含g-C3N4和SnS两相，g-C3N4为片状结构，厚度为20-30nm，其表面原位生长有直径为10-

20nm的SnS纳米颗粒；

选用50mL 7mg/L的亚甲基蓝为目标降解物，以150W的氙光灯为光源，光照30min后所得g-C3N4/SnS纳米异质结对亚甲基蓝的降解率为95％。