1.一种STI异常孔洞的侦测方法，其特征在于，所述侦测方法基于晶体管，所述晶体管包括：P型衬底；所述P型衬底具有第一N型掺杂区域、第二N型掺杂区域，以及设置在所述第一N型掺杂区域和所述第二N型掺杂区域之间的STI区域；全覆盖所述STI区域，以及部分覆盖所述第一N型掺杂区域和所述第二N型掺杂区域的栅极；其中，所述第一N型掺杂区域作为源极，所述第二N型掺杂区域作为漏极；

所述侦测方法包括：

将所述栅极和所述源极浮空，所述漏极接入预设电压，获取漏电流的第一变化情况；

将所述栅极浮空，所述源极接地，所述漏极接入所述预设电压，获取漏电流的第二变化情况；

依据所述第一变化情况和所述第二变化情况，判断所述STI区域是否存在异常孔洞。

2.根据权利要求1所述的侦测方法，其特征在于，当对一个所述晶体管的STI区域进行侦测时，所述依据所述第一变化情况和所述第二变化情况，判断所述STI区域是否存在异常孔洞，包括：

当所述第二变化情况与所述第一变化情况的漏电流变化趋势接近时，表示所述STI区域不存在异常孔洞。

3.根据权利要求1所述的侦测方法，其特征在于，当对一个所述晶体管的STI区域进行侦测时，所述依据所述第一变化情况和所述第二变化情况，判断所述STI区域是否存在异常孔洞，包括：

当所述第二变化情况与所述第一变化情况的漏电流变化趋势存在明显差距时，表示所述STI区域存在异常孔洞。

4.根据权利要求1所述的侦测方法，其特征在于，当对多个串联的所述晶体管的STI区域进行侦测时，所述依据所述第一变化情况和所述第二变化情况，判断所述STI区域是否存在异常孔洞，包括：

当所述第二变化情况与所述第一变化情况的漏电流变化趋势符合预设倍数时，表示所述STI区域不存在异常孔洞。

5.根据权利要求1所述的侦测方法，其特征在于，当对多个串联的所述晶体管的STI区域进行侦测时，所述依据所述第一变化情况和所述第二变化情况，判断所述STI区域是否存在异常孔洞，包括：

当所述第二变化情况与所述第一变化情况的漏电流变化趋势超过预设倍数时，表示所述STI区域存在异常孔洞。

6.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：P型衬底；所述P型衬底上具有第一N型掺杂区域、第二N型掺杂区域，以及设置在所述第一N型掺杂区域和所述第二N型掺杂区域之间的STI区域；

设置在所述P型衬底一侧的栅极，所述栅极全覆盖所述STI区域，以及部分覆盖所述第一N型掺杂区域和所述第二N型掺杂区域；

其中，所述第一N型掺杂区域作为源极，所述第二N型掺杂区域作为漏极。

7.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述STI区域的底部宽度为70nm。

8.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述栅极的宽度为72nm。

9.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述栅极覆盖所述第一N型掺杂区域的宽度为10nm。

10.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述栅极覆盖所述第二N型掺杂区域的宽度为10nm。