1.一种基于WSe2/KTaO3范德华异质结的光电探测器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）采用机械剥离法将少层WSe2从块材WSe2上转移到单晶KTO表面；

（2）采用光刻工艺将一侧2/3面积的WSe2及同侧KTO衬底用光刻胶覆盖，其余部分暴露；

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（3）在2×10  ～ 6×10 mbar气压下，进行磁控溅射3～10分钟，在步骤（2）获得的样品表面沉积金；再去除光刻胶，制备金电极；

（4）采用光刻工艺将光刻胶覆盖于WSe2制备有金电极一侧2/3的面积及同侧KTO衬底；

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（5）在3×10 ～8×10 mbar气压下，用电压为200V～500V的Ar离子束照射暴露的WSe2及部分衬底5～15分钟，形成二维电子气2DEG；再经清洗，得到一种WSe2/2DEG范德华异质结的光电探测器。

2.按权利要求1制备方法得到的一种WSe2/2DEG范德华异质结的光电探测器。

3.根据权利要求2所述的一种WSe2/2DEG范德华异质结的光电探测器，其特征在于：所述的异质结在可见光范围内具有光电响应；在光照开/关状态下，所述异质结的响应时间小于

1秒。

4.根据权利要求2或3所述的一种WSe2/2DEG范德华异质结的光电探测器，其特征在于：4

在405纳米波长的光照条件下，所述的异质结开/关电流比达到10。

5.根据权利要求2或3所述的一种WSe2/2DEG范德华异质结的光电探测器，其特征在于：所述的异质结在不加偏置电压的条件下，光诱发感生电流。