1.一种交流侧分裂对称解耦单相逆变器，其特征在于，所述交流侧分裂对称解耦单相逆变器包括H桥逆变器，所述H桥逆变器包括对称的上半桥结构和下半桥结构，所述上半桥结构包括并联的上半桥第一单元和上半桥第二单元，所述上半桥第一单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管G1、二极管D1和电容C3，所述上半桥第二单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管G3、二极管D3和电容C4；所述下半桥结构包括并联的下半桥第一单元和下半桥第二单元，所述下半桥第一单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管G2、二极管D2和电容C1，所述下半桥第二单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管G4、二极管D4和电容C2，所述上半桥第一单元和所述下半桥第一单元之间设有电感L1，所述上半桥第二单元和所述下半桥第二单元之间设有电感L2。

2.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管G1的集电极和发射集之间并联所述二极管D1，所述所述绝缘栅双极型晶体管G2的集电极和发射集之间并联所述二极管D2，所述绝缘栅双极型晶体管G3的集电极和发射集之间并联所述二极管D3，所述绝缘栅双极型晶体管G4的集电极和发射集之间并联所述二极管D4。

3.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管G1的集电极、所述二极管D1的负极和所述电容C3的正极接电源的正极端，所述绝缘栅双极型晶体管G3的集电极、所述二极管D3的负极和所述电容C4的正极接电源的正极端；所述绝缘栅双极型晶体管G2的发射极、所述二极管D2的正极和所述电容C1的负极接电源的负极端，所述绝缘栅双极型晶体管G4的发射极、所述二极管D4的正极和所述电容C2的负极接电源的负极端。

4.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器，其特征在于，所述电感L1和所述电感L2为交流侧滤波电感。

5.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器，其特征在于，所述电容C1、所述电容C2、所述电容C3和所述电容C4为交流侧原有对称分裂滤波电容，所述电容C1、所述电容C2、所述电容C3和所述电容C4用于缓冲系统二倍频功率。

6.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器，其特征在于，还包括电阻，所述电阻位于所述上半桥第一单元、所述上半桥第二单元、所述下半桥第一单元和所述下半桥第二单元之间。