1.一种氧化铜纳米阵列电极的制备方法，其特征在于，包括利用金属基底和碱性溶液，通过直流稳定电源阳极氧化法制得金属氢氧化物电极；通过烧结将所述金属氢氧化物电极失水制得金属氧化物纳米线；其中，所述碱性溶液为KOH溶液，浓度为2‑6M；

所述直流稳定电源阳极氧化法的阳极氧化电压为1‑3V；

所述烧结所述金属氢氧化物电极在氩气氛围下进行；且所述烧结包括在140‑160℃保温一段时间之后，再在200‑350℃保温。

2.根据权利要求1所述的氧化铜纳米阵列电极的制备方法，其特征在于，还包括用酸溶液和醇溶液对所述金属基底进行清洗；

然后再利用清洗过的所述金属基底和所述碱性溶液，通过所述直流稳定电源阳极氧化法制得所述金属氢氧化物电极。

3.根据权利要求1所述的氧化铜纳米阵列电极的制备方法，其特征在于，所述金属基底包括铜。

4.一种氧化铜纳米阵列电极，其特征在于，其是由权利要求1‑3任一项所述的氧化铜纳米阵列电极的制备方法制得的。

5.一种氧化铜纳米阵列的非固态水系柔性储能器件，其特征在于，包括权利要求4所述的氧化铜纳米阵列电极。

6.一种如权利要求5所述的氧化铜纳米阵列的非固态水系柔性储能器件的制备方法，其特征在于，包括：将所述氧化铜纳米阵列电极用隔膜分开，对称地组装在水系电极液中，再封装在塑料薄膜内。