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专利号: 2020110391295
申请人: 桂林理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种氧化铜纳米阵列电极的制备方法,其特征在于,包括利用金属基底和碱性溶液,通过直流稳定电源阳极氧化法制得金属氢氧化物电极。

2.根据权利要求1所述的氧化铜纳米阵列电极的制备方法,其特征在于,还包括用酸溶液和醇溶液对所述金属基底进行清洗;

然后再利用清洗过的所述金属基底和所述碱性溶液,通过所述直流稳定电源阳极氧化法制得所述金属氢氧化物电极。

3.根据权利要求1所述的氧化铜纳米阵列电极的制备方法,其特征在于,所述金属基底包括铜。

4.根据权利要求1所述的氧化铜纳米阵列电极的制备方法,其特征在于,所述碱性溶液为KOH溶液,浓度为2-6M。

5.根据权利要求1所述的氧化铜纳米阵列电极的制备方法,其特征在于,所述直流稳定电源阳极氧化法的阳极氧化电压为1-3V。

6.根据权利要求1所述的氧化铜纳米阵列电极的制备方法,其特征在于,还包括通过烧结将所述金属氢氧化物电极失水制得金属氧化物纳米线。

7.根据权利要求6所述的氧化铜纳米阵列电极的制备方法,其特征在于,所述烧结所述金属氢氧化物电极在氩气氛围下进行;优选地,所述烧结包括在140-160℃保温一段时间之后,再在200-350℃保温。

8.一种氧化铜纳米阵列电极,其特征在于,其是由权利要求1-7任一项所述的氧化铜纳米阵列电极的制备方法制得的。

9.一种氧化铜纳米阵列的非固态水系柔性储能器件,其特征在于,包括权利要求8所述的氧化铜纳米阵列电极。

10.一种如权利要求9所述的氧化铜纳米阵列的非固态水系柔性储能器件的制备方法,其特征在于,包括:将所述氧化铜纳米阵列电极用隔膜分开,对称地组装在水系电极液中,再封装在塑料薄膜内。