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专利号: 2020110058305
申请人: 天津理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 一般的物理或化学的方法或装置
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种S掺杂Te空位的二维2H相MoTe2/掺氮碳布纳米片的制备方法,其片状结构有利于*提高比表面积,暴露更多的活性位点,增强与H的结合能力,能大幅提高电催化产氢性能,显著降低电催化析氢的过电位;

其特征在于,包括以下步骤:

(1)利用溶剂热法合成前驱物MoS2/掺氮碳布纳米片;

(2)利用一步原位拓扑转化法制备S掺杂Te空位的二维2H相MoTe2/掺氮碳布纳米片高效复合电催化材料;

具体操作步骤如下:

(1)前驱物MoS2/掺氮碳布纳米片的制备:将MoO3纳米棒和L‑半胱氨酸按照1∶3摩尔比溶于适量超纯水中,在磁力搅拌下充分溶解;溶解后的溶液转移到聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中,然后放入NCC,在150‑200℃下反应12h,自然冷却;所得MoS2/NCC纳米片用乙醇和超纯水洗涤,然后在60℃下真空干燥;

(2)S掺杂Te空位的二维2H相MoTe2/掺氮碳布纳米片的制备:将前驱物MoS2/NCC和Te粉末按一定比例放入瓷舟中,在氢氩混合气下高温反应5‑10h。

2.根据权利要求1所述一种S掺杂Te空位的二维2H相MoTe2/掺氮碳布纳米片的制备方法获得的S掺杂Te空位的二维2H相MoTe2/掺氮碳布纳米片材料在大电流密度下电催化析氢方面的应用。