1.一种KNN基超高击穿电场单晶薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述方法由以下步骤组成：

(1)按照摩尔比0.3:0.6:0.4:0.1:0.1:0.1:0.2:0.2分别称取CH3COOK、C10H25NbO5、CH3COONa·xH2O、C6H9O6Sb、C2H3O2Li·xH2O、C10H25O5Ta、C4H6BaO4和Zr(OC3H7)4制备KNNS‑LT‑BZ前驱体溶液；

将原料CH3COOK、C10H25NbO5、CH3COONa·xH2O、C6H9O6Sb、C2H3O2Li·xH2O、C10H25O5Ta、和C4H6BaO4于120℃溶解在冰醋酸和去离子水的混合液体中，然后将Zr(OC3H7)4于室温溶解在冰醋酸和CH3COCH2COCH3的混合液体中，最后将前面两种混合液再次混合于100℃搅拌

30min，并放置20h，得到浓度为0.2M通式为(NaxK(z‑x))(NbySb(z‑y))O3‑(1‑z‑c)LiTaO3‑cBaZrO3的KNNS‑LT‑BZ前驱体溶液，其中x＝0.4，y＝0.6，z＝0.7，c＝0.2；

(2)将步骤(1)得到的KNNS‑LT‑BZ前驱体溶液使用匀胶机以600rpm的转速第一次旋涂

10s和4000rpm的转速第二次旋涂30s在Nb‑dopedSrTiO3(100)衬底上面，得到湿膜；

(3)将步骤(2)制得的湿膜首先在180℃干燥3min，然后在350℃热解3min，最后在700℃于空气氛围中退火3min，得到一层KNNS‑LT‑BZ薄膜；

(4)重复步骤(2)和步骤(3)12次，得到12层KNNS‑LT‑BZ薄膜。

2.一种KNN基超高击穿电场单晶薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述方法由以下步骤组成：

(1)按照摩尔比0.3:0.5:0.3:0.1:0.1:0.1:0.3:0.3分别称取CH3COOK、C10H25NbO5、CH3COONa·xH2O、C6H9O6Sb、C2H3O2Li·xH2O、C10H25O5Ta、C4H6BaO4和Zr(OC3H7)4制备KNNS‑LT‑BZ前驱体溶液；

将原料CH3COOK、C10H25NbO5、CH3COONa·xH2O、C6H9O6Sb、C2H3O2Li·xH2O、C10H25O5Ta、和C4H6BaO4于120℃溶解在冰醋酸和去离子水的混合液体中，然后将Zr(OC3H7)4于室温溶解在冰醋酸和CH3COCH2COCH3的混合液体中，最后将前面两种混合液再次混合于150℃搅拌

30min，并放置30h，得到浓度为0.3M的通式为(NaxK(z‑x))(NbySb (z‑y))O3‑(1‑z‑c)LiTaO3‑cBaZrO3的KNNS‑LT‑BZ前驱体溶液，其中x＝0.3，y＝0.5，z＝0.6，c＝0.3；

(2)将步骤(1)得到的KNNS‑LT‑BZ前驱体溶液使用匀胶机以800rpm的转速第一次旋涂

20s和6000rpm的转速第二次旋涂40s在Nb‑dopedSrTiO3(111)衬底上面，得到湿膜；

(3)将步骤(2)制得的湿膜首先在350℃干燥5min，然后在550℃热解5min，最后在750℃于空气氛围中退火8min，得到一层KNNS‑LT‑BZ薄膜；

(4)重复步骤(2)和步骤(3)12次，得到12层KNNS‑LT‑BZ薄膜。