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专利号: 2020108472839
申请人: 西安工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种具有丰富表面缺陷的网状钯纳米线的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)称取钯前驱体及分散剂油胺,将钯前驱体分散于分散剂油胺中,得到质量浓度为2~

50mg/mL的反应液;

2)将反应溶液边搅拌边加热,在100~300摄氏度温度下反应30~600分钟,待其反应完成后,将反应产物进行离心及洗涤,得到具有丰富表面缺陷网状结构的钯纳米线。

2.根据权利要求1所述的具有丰富表面缺陷的网状钯纳米线的制备方法,其特征在于,钯前驱体为氯钯酸钠或氯化钯。

3.根据权利要求1所述的制备方法制得的具有丰富表面缺陷的网状钯纳米线。

4.根据权利要求1所述的一种具有丰富表面缺陷的网状钯纳米线的应用,其特征在于,当催化剂为具有丰富表面缺陷的网状钯纳米线时,所述的反应为氧还原电催化反应。