1.柔性高强MXene基电磁屏蔽复合薄膜，其特征在于：包括导电层Ti3C2Tx MXene/银纳米线和聚合物增强层芳纶纳米纤维，Ti3C2Tx MXene/银纳米线导电层的质量分数为10～

80％；Ti3C2Tx MXene与银纳米线的质量比为10:0.5～10:1.5。

2.根据权利要求1所述的柔性高强MXene基电磁屏蔽复合薄膜，其特征在于：所述Ti3C2Tx MXene是以200～400目的MAX相陶瓷作为原料，在盐酸和氟化锂混合溶液中制备而成，片层大小为100～300nm。

3.根据权利要求1所述的柔性高强MXene基电磁屏蔽复合薄膜，其特征在于：所述银纳米线直径为20～50nm，长径比为500～1000。

4.根据权利要求1所述的柔性高强MXene基电磁屏蔽复合薄膜，其特征在于：所述芳纶纳米纤维是以对位芳纶纱线纤维、对位芳纶短切纤维和对位芳纶织物纤维中的一种为原料，在氢氧化钾和二甲基亚砜混合溶液体系中制备而成，且芳纶纳米纤维直径为5～20nm，长度为5～20μm。

5.根据权利要求1所述的柔性高强MXene基电磁屏蔽复合薄膜，其特征在于：所述柔性高强MXene基电磁屏蔽复合薄膜的热压压强为0.5～5MPa，热压温度为50～80℃。

6.柔性高强MXene基电磁屏蔽复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，将对位芳纶纤维加入到氢氧化钾和二甲基亚砜混合溶液中，并在室温下搅拌得到深红色芳纶纳米纤维分散液；

步骤2，将MAX陶瓷粉末加入到盐酸和氟化锂混合溶液中，并且在35℃下搅拌得到黑色的溶液，经离心清洗后得到墨绿色Ti3C2Tx MXene分散液；

步骤3，将直径为20～50nm、长径比为500～1000的银纳米线分散到去离子水中，经超声分散得到银纳米线分散液；

步骤4，将步骤2所得Ti3C2Tx MXene分散液与步骤3所得的银纳米线分散液共混，经超声分散得到Ti3C2Tx MXene/银纳米线混合分散液；

步骤5，将步骤1所得芳纶纳米纤维分散液通过孔径为0.22～0.45μm的有机滤膜进行真空辅助抽滤，得到胶体状芳纶纳米纤维薄片；

步骤6，将步骤4所得Ti3C2Tx MXene/银纳米线混合分散液加入继续进行真空辅助抽滤，得到胶体状双层结构Ti3C2Tx MXene/银纳米线-芳纶纳米纤维薄片；

步骤7，将步骤6所得胶体状双层结构Ti3C2Tx MXene/银纳米线-芳纶纳米纤维薄片在50～80℃温度下真空热压干燥24h，得到柔性高强双层结构Ti3C2Tx MXene/银纳米线-芳纶纳米纤维电磁屏蔽复合薄膜。

7.根据权利要求6所述柔性高强MXene基电磁屏蔽复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中芳纶纳米纤维是以对位芳纶纱线纤维、对位芳纶短切纤维、对位芳纶织物纤维中的一种为原料，在氢氧化钾和二甲基亚砜混合溶液体系中制备而成，且对位芳纶纤维、氢氧化钾和二甲基亚砜比例为0.5～1.5g:1～2g:100～1000mL。

8.根据权利要求6所述柔性高强MXene基电磁屏蔽复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中芳纶纳米纤维分散液能够均匀地分散在水中，芳纶纳米纤维直径为5～20nm，长度为5～20μm，且芳纶纳米纤维的浓度为0.2～2mg/mL，搅拌速度为500～1000r/min，搅拌时间为3～7天。

9.根据权利要求6所述柔性高强MXene基电磁屏蔽复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2中Ti3C2Tx MXene是以200～400目的MAX相陶瓷作为原料，在盐酸和氟化锂混合溶液中制备而成，且MAX相陶瓷、氟化锂和盐酸的比例为1～2g:1～2g:20～40mL，Ti3C2Tx MXene片层的大小为100～300nm；

步骤2中搅拌速度为500～1000r/min，搅拌时间为20～24h，离心速度为3000～4000r/min，离心时间为50～80min；

步骤3中银纳米线分散液中的银纳米线的浓度为0.5～5mg/mL，且超声功率为200～

300W。

10.根据权利要求6所述柔性高强MXene基电磁屏蔽复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤7中热压压强为0.5～5MPa。