1.一种MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：所述复合电磁屏蔽膜由MXene、银纳米线和粘结剂制成；其中，MXene和银纳米线的质量比为0.05-20，粘结剂的质量用量为MXene和银纳米线总质量用量的0.001-10％；所述粘结剂为海藻酸钠、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、壳聚糖、羟丙基甲基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基纤维素钠中的一种或几种的混合；

所述MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜通过如下方法制备：将银纳米线溶液与粘结剂充分混合后得到混合液1，混合液1再与MXene溶液充分混合，得到混合液2；将混合液2抽滤成膜，即得到MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜。

2.如权利要求1所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：MXene和银纳米线的质量比为0.1-5，优选0.33-3，最优选0.33。

3.如权利要求1或2所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：粘结剂的质量用量为MXene和银纳米线总质量用量的1-10％。

4.如权利要求3所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：粘结剂的质量用量为MXene和银纳米线总质量用量的2-5％。

5.如权利要求1或2所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：所述MXene为片层状，直径200nm-20μm，厚度为2nm-30nm；所述MXene溶液的溶剂为水、乙醇、甲醇、聚丙烯醇中的一种或几种的混合；所述MXene溶液的浓度为0.1-30mg/mL。

6.如权利要求1或2所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：所述银纳米线直径为18-200nm，长度为10-200μm；所述银纳米线溶液的溶剂为水、乙醇、甲醇、聚丙烯醇中的一种或几种的混合，所述银纳米线溶液的浓度为0.1-25mg/mL。

7.如权利要求5或6所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：所述MXene溶液和银纳米线溶液的溶剂均为水。

8.如权利要求1或2所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：制备混合液1和混合液2的过程中，采用磁力搅拌、机械搅拌或者机械振动来促进混合，处理时间不少于

20min，直至溶液混合均匀。

9.如权利要求1或2所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：抽滤使用的滤膜为纤维素滤膜、聚酰胺滤膜、聚四氟乙烯滤膜、聚偏氟乙烯滤膜中的一种，孔径为0.02-

10μm。

10.如权利要求1或2所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：所述电磁屏蔽膜的厚度为500nm-1mm，更优选为500nm-40μm。