1.化合物硼酸钡钇,其特征在于,该化合物硼酸钡钇化学式为BaYBO4。
2.根据权利要求1所述的化合物硼酸钡钇的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将含钡化合物、含钇化合物、含硼化合物混合采用固相反应法制得所述化合物硼酸钡钇,含钡化合物中元素钡、含钇化合物中元素钇、含硼化合物中元素硼的摩尔比为0.8-1.5:0.8-
1.5:0.8-1.5将含钡化合物、含钇化合物、含硼化合物原料混合均匀,研磨后放入马弗炉中,预烧排除原料中的水分和气体,冷却至室温,取出研磨之后放入马弗炉中煅烧,制得化合物硼酸钡钇。
3.根据权利要求2所述的化合物硼酸钡钇的制备方法,其特征在于,所述含钡化合物包括氧化钡、氢氧化钡、钡盐中的至少一种;
所述含钇化合物包括氧化钇及钇盐中的至少一种;
所述含硼化合物为硼酸及三氧化二硼。
4.根据权利要求3所述的化合物硼酸钡钇的制备方法,其特征在于,钡盐包括氟化钡、碳酸钡、氢氧化钡、氯化钡、溴化钡、硝酸钡、草酸钡、硫酸钡中的至少一种;
钇盐包括氯化钇、氟化钇、溴化钇、硝酸钇、草酸钇、碳酸钇、硫酸钇中的至少一种。
5.化合物硼酸钡钇非线性光学晶体,其特征在于,该晶体的化学式为BaYBO4,分子量
30 1 .06 ,不 具有 对称中 心 ,属六 方晶 系 ,空间 群 晶 胞 参数 为Z=3,
6.权利要求5所述的化合物硼酸钡钇非线性光学晶体的制备方法,其特征在于,采用高温熔液法或者提拉法生长硼酸钡钇非线性光学晶体。
7.根据权利要求6所述方法,其特征在于,具体操作按下列步骤进行:a、将权利要求1-4任一所得的硼酸钡钇化合物单相多晶粉末或权利要求1-4任一所得的硼酸钡钇化合物单相多晶粉末与助熔剂的混合物,升温至熔化得到混合熔液,降温或恒温生长,制备化合物硼酸钡钇晶体;
或直接将含钡化合物、含钇化合物和含硼化合物的混合物或含钡化合物、含钇化合物和含硼化合物与助熔剂的混合物,升温至熔化得到混合熔液,降温或恒温生长,制备化合物硼酸钡钇晶体;
b、盛有步骤a制得的混合熔液的坩埚置入晶体生长炉中,将籽晶固定于籽晶杆上,将籽晶下至接触混合熔液液面或混合熔液中进行回熔,降至饱和温度;降温或恒温生长,制备出化合物硼酸钡钇晶体。
8.根据权利要求7所述方法,其特征在于其中硼酸钡钇化合物单相多晶粉末与助熔剂的摩尔比为1:1-20;或者其中含钡化合物、含钇化合物和含硼化合物与助熔剂的摩尔比为
1:1:1:1-20;助熔剂包括硼酸、氟化钡、氟化钠、氟化钾、氟化锂、氟化铅、氟化铷、氟化铯、碳酸钠、碳酸锂、碳酸钡、偏硼酸锂、偏硼酸钾、偏硼酸钠中的至少一种、复合助熔剂NaF-KF、NaF-LiF、LiF-KF、NaF-BaF2、KF-BaF2、LiF-BaF2、NaF-H3BO3、KF-H3BO3、LiF-H3BO3、BaF2-H3BO3、Na2CO3-H3BO3、K2CO3-H3BO3、PbO-H3BO3、BaF2-Na2CO3、NaF-Na2CO3、LiF-Na2CO3、KF-Na2CO3、PbF2-Na2CO3、PbF2-BaF2、PbO-BaF2、PbO-PbF2、PbO-NaF、PbO-Na2CO3、PbF2-NaF、BaF2-NaBO2、H3BO3-BaF2-NaBO2、H3BO3-BaF2-NaF或H3BO3-BaF2-KF中一种或多种。
9.根据权利要求8所述方法,其特征在于,复合助熔剂NaF-KF、NaF-LiF体系中NaF与氟化物的摩尔比为1-5:1-6;LiF-KF体系中LiF与KF的摩尔比为1-5:1-5、NaF-BaF2、KF-BaF2、LiF-BaF2体系中氟化物与BaF2摩尔比为1-5:1-3;NaF-H3BO3、KF-H3BO3、LiF-H3BO3、BaF2-H3BO3体系中氟化物与硼酸的摩尔比为1-5:1-8;Na2CO3-H3BO3、K2CO3-H3BO3体系中碳酸盐与H3BO3的摩尔比为1-3:1-5;PbO-H3BO3体系中PbO与H3BO3摩尔比为0.5-3:1-5;BaF2-Na2CO3、NaF-Na2CO3、LiF-Na2CO3、KF-Na2CO3、PbF2-Na2CO3体系中氟化物和Na2CO3的摩尔比为1-5:1-3;
PbF2-BaF2体系中PbF2与BaF2摩尔比为0.5-3:1-3;PbO-BaF2、PbO-PbF2、PbO-NaF体系中PbO与氟化物摩尔比为0.5-3:1-3;PbO-Na2CO3体系中PbO与Na2CO3摩尔比为0.5-3:0.5-3,PbF2-NaF体系中PbF2和NaF摩尔比为0.5-3:1-3;BaF2-NaBO2体系中BaF2与NaBO2摩尔比为1-5:1-8;
H3BO3-BaF2-NaBO2中H3BO3、BaF2与NaBO2摩尔比为1-5:1-3:1-8;H3BO3-BaF2-NaF和H3BO3-BaF2-KF体系中H3BO3、BaF2与氟化物摩尔比为2-4:1-3:1-5。
10.根据权利要求5所述的硼酸钡钇非线性光学晶体的用途,其特征在于,该硼酸钡钇非线性光学晶体用于制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器。