1.一种BOX形氮化硅波导的制备方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上依次形成第一包覆层、第一牺牲层以及第二牺牲层；

刻蚀所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，去除第二牺牲层，形成条形槽；

生长氮化硅材料，一部分生长在所述条形槽内，一部分覆盖在所述第一牺牲层上，然后进行表面平坦化，形成BOX氮化硅槽；

生长第二包覆层，一部分填充满所述BOX氮化硅槽，一部分覆盖在所述第一牺牲层上，然后进行表面平坦化，形成光滑表面；

生长氮化硅材料，覆盖所述光滑表面；

刻蚀BOX氮化硅槽外的氮化硅材料，形成BOX氮化硅波导，然后刻蚀第一牺牲层；

在所述第一包覆层和所述BOX氮化硅波导上生长第三包覆层。

2.根据权利要求1所述的BOX形氮化硅波导的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。

3.根据权利要求1所述的BOX形氮化硅波导的制备方法，其特征在于，所述第一包覆层的厚度为2-3μm。

4.根据权利要求1所述的BOX形氮化硅波导的制备方法，其特征在于，所述第一牺牲层为αSi，所述第二牺牲层为光刻胶。

5.根据权利要求1所述的BOX形氮化硅波导的制备方法，其特征在于，所述第一牺牲层的厚度为100nm-2μm，所述第二牺牲层的厚度为3-5μm。

6.根据权利要求1所述的BOX形氮化硅波导的制备方法，其特征在于，所述第一包覆层、所述第二包覆层和所述第三包覆层包括二氧化硅。

7.根据权利要求1所述的BOX形氮化硅波导的制备方法，其特征在于，所述第三包覆层的厚度为4-10μm。

8.根据权利要求1所述的BOX形氮化硅波导的制备方法，其特征在于，形成条形槽后，所述条形槽通过氢退火和热氧化处理工艺。

9.根据权利要求1所述的BOX形氮化硅波导的制备方法，其特征在于，所述生长的方法包括物理气相沉积和化学气相沉积；所述刻蚀包括光刻、离子束刻蚀、湿法腐蚀刻蚀；所述表面平坦化采用化学机械平坦化工艺。

10.一种BOX形氮化硅波导，其特征在于，包括：位于半导体衬底上的第一包覆层；

和位于所述第一包覆层之上的BOX氮化硅波导；和位于所述BOX氮化硅波导内部的第二包覆层；

和位于所述第一包覆层之上和包覆所述BOX氮化硅波导的第三包覆层；

所述第一包覆层、所述第二包覆层和所述第三包覆层包括二氧化硅；

所述半导体衬底为硅衬底；

所述第一包覆层的厚度为100nm-2μm；所述第三包覆层的厚度为4-10μm。