1.一种双条形氮化硅波导，其特征在于，包括：

硅基底；

均匀覆置于所述硅基底上表面的第一SiO2包覆层；

位于所述第一SiO2包覆层上表面的双条形Si3N4波导结构；所述双条形Si3N4波导结构侧壁与所述硅基底垂直，且双条形Si3N4波导结构的上下两条Si3N4波导结构的对应的侧壁互相对齐；

所述双条形Si3N4波导结构被第二SiO2包覆层包裹。

2.根据权利要求1所述的一种双条形氮化硅波导，其特征在于，所述双条形Si3N4波导结构为上下平行对称结构。

3.根据权利要求1所述的一种双条形氮化硅波导，其特征在于，所述第一SiO2包覆层厚度为2～3μm。

4.根据权利要求2所述的一种双条形氮化硅波导，其特征在于，所述双条形Si3N4波导结构的每条Si3N4波导结构厚度为100～250nm，间距为400nm～1.5μm。

5.根据权利要求1所述的一种双条形氮化硅波导，其特征在于，所述第二SiO2包覆层的厚度为4～10μm。

6.一种如权利要求1-5任一项所述的双条形氮化硅波导制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.在硅基底上生长第一SiO2包覆层；

S2.依次在SiO2膜层上生长Si3N4层、αSi层和Si3N4层，形成Si3N4/αSi/Si3N4夹心结构；

S3.通过光刻/离子束刻蚀形成侧壁垂直的Si3N4/αSi/Si3N4双条形波导结构；

S4.热氧化留下的αSi形成SiO2，得到双条形Si3N4波导结构；

S5.将双条形Si3N4波导结构外延生长4～10μm的第二SiO2包覆层，从而形成双条形氮化硅形波导。

7.根据权利要求6所述的一种双条形氮化硅波导制备方法，其特征在于，在步骤S4中，热氧化αSi形成SiO2之前，需先刻蚀部分去除夹层中的αSi材料。

8.根据权利要求6所述的一种双条形氮化硅波导制备方法，其特征在于，在所述步骤S1中第一SiO2包覆层采用热氧工艺生长。

9.根据权利要求6所述的一种双条形氮化硅波导制备方法，其特征在于，所述步骤S2的αSi层和两层Si3N4均采用LPCVD工艺生长。

10.根据权利要求7所述的一种双条形氮化硅波导制备方法，其特征在于，所述步骤S4中采用选择比高的湿法腐蚀刻蚀工艺部分去除夹层中的αSi材料。