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专利号: 2020103509697
申请人: 陕西科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 一般的物理或化学的方法或装置
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种双缺陷异质结光催化剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤,

步骤1,将分散有含N空位的纳米片状g-C3N4和MoO3粉体的混合体系进行水热反应,得到反应液,所述的g-C3N4和MoO3粉体的质量比为(0.15-0.3):(0.05-0.2);

步骤2,将反应液中的产物分离后依次进行洗涤、干燥,得到双缺陷异质结光催化剂。

2.根据权利要求1所述的一种双缺陷异质结光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤1中所述的混合体系用无水乙醇进行分散。

3.根据权利要求1所述的一种双缺陷异质结光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤1中所述的g-C3N4和MoO3粉体的浓度分别为5-10g/L和11.58-57.89mmol/L。

4.根据权利要求1所述的一种双缺陷异质结光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤1中所述的混合体系在水热反应釜中进行反应,填充比为50%-80%。

5.根据权利要求1所述的一种双缺陷异质结光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤1中所述的混合体系在100-140℃下反应1-12h。

6.根据权利要求1所述的一种双缺陷异质结光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤2中用无水乙醇对产物进行洗涤,之后在70-90℃下恒温干燥12-18h。

7.一种由权利要求1-6中任意一项所述的双缺陷异质结光催化剂的制备方法得到的双缺陷异质结光催化剂。

8.根据权利要求7所述的一种双缺陷异质结光催化剂,其特征在于,该双缺陷异质结光催化剂由均为纳米片状的MoO2.69、MoO3和g-C3N4组成,其中g-C3N4含N空位,MoO2.69和MoO3含O空位。

9.根据权利要求7所述的一种双缺陷异质结光催化剂,其特征在于,该双缺陷异质结光催化剂能在200-2500nm的全太阳光谱内进行光吸收。

10.一种如权利要求7-9中任意一项所述的双缺陷异质结光催化剂的应用,其特征在于,该双缺陷异质结光催化剂能在200-2500nm的全太阳光谱照射下降解MO。