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专利号: 2020100339853
申请人: 湖南科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2026-05-15
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种酸化石墨炔纳米管/短多壁碳纳米管修饰电极检测多巴胺的方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将多壁碳纳米管分散于混合浓酸中,在热水浴中超声处理,然后快速冷却,离心,洗涤,烘干,得短多壁碳纳米管;

(2)将石墨炔纳米管分散于混合浓酸中,回流加热一定时间,然后用冰水冷却,分离,洗涤,烘干,得酸化石墨炔纳米管;

(3)将一定量的短多壁碳纳米管和酸化石墨炔纳米管分别分散于合适溶剂中,然后将分散于合适溶剂中的短多壁碳纳米管与分散于合适溶剂中的酸化石墨炔纳米管按一定的体积比充分混合,超声混均,在一定温度下均匀搅拌一定时间,冷却后得到混合溶液;吸取一定量的混合溶液修饰玻碳电极,干燥即得酸化石墨炔纳米管/短多壁碳纳米管修饰电极;

(4)在不同浓度的多巴胺标准液中,采用常规的三电极体系,以石墨炔纳米管/短多壁碳纳米管修饰的玻碳电极为工作电极、铂丝为对电极、饱和的甘汞电极为参比电极,富集一定时间,记录伏安响应信号,绘制电流—浓度标准曲线;检测样品时,将样品响应信号与标准曲线对照,获得对应样品的DA浓度。

2.根据权利要求1所述的酸化石墨炔纳米管/短多壁碳纳米管修饰电极检测多巴胺的方法,其特征在于:步骤(1)和(2)中的混合浓酸由浓H2SO4和HNO3按1:0.2-1(优选为1:0.3-

0.5)的体积比混合而成。

3.根据权利要求1所述的酸化石墨炔纳米管/短多壁碳纳米管修饰电极检测多巴胺的方法,其特征在于:步骤(3)中石墨炔(GDY)的浓度为0.1-3.0 mg/mL,优选0.5-2.0 mg/mL,更优选0.8-1.2 mg/mL;短碳纳米管的浓度为0.1-3.0 mg/mL,优选0.5-2.0 mg/mL,更优选

0.8-1.5 mg/mL。

4.根据权利要求1或2所述的酸化石墨炔纳米管/短多壁碳纳米管修饰电极检测多巴胺的方法,其特征在于:步骤(2)中回流加热温度为20-200℃,优选为40-160℃,更优选为60-

140℃;加热时间为2-12 h,优选为4-10 h,更优选为5-7 h;所述的分离为过滤、抽滤、离心或沉降,优选为6000-18000 rmp离心分离,更优选为12000-15000 rmp离心分离,分离时间为5-60 min,优选为10-40 min,更优选为15-30 min,洗涤烘干时间为2-48 h,优选为10-30 h,更优选为18-24 h; 烘干温度为20-200℃,优选为40-160℃,更优选为60-140℃。

5.根据权利要求1所述的酸化石墨炔纳米管/短多壁碳纳米管修饰电极检测多巴胺的方法,其特征在于:步骤(3)中的合适溶剂为醇类、酰胺或腈类中的一种或多种;优选为甲酰胺、丙烯酰胺或乙腈中的一种或多种;更优选为N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基丙烯酰胺或乙腈中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的酸化石墨炔纳米管/短多壁碳纳米管修饰电极检测多巴胺的方法,其特征在于:步骤(3)中分散于合适溶剂中的短多壁碳纳米管与分散于合适溶剂中的酸化石墨炔纳米管按1:0.5-8的体积比(优选为1:1-6,更优选为1:2-4)混合。

7.根据权利要求1所述的酸化石墨炔纳米管/短多壁碳纳米管修饰电极检测多巴胺的方法,其特征在于:步骤(3)中超声混匀的时间为10-60 min,优选为20-45 min,更优选为

25-35 min;在一定温度下搅拌一定时间的温度为20-100℃,优选为40-80℃,更优选为50-

60℃;搅拌时间为2-12 h,优选为4-10 h,更优选为6-8 h。

8.根据权利要求1所述的酸化石墨炔纳米管/短多壁碳纳米管修饰电极检测多巴胺的方法,其特征是,步骤(3)中干燥温度为20-50℃,优选为30-40℃。

9.根据权利要求1所述的酸化石墨炔纳米管/短多壁碳纳米管修饰电极检测多巴胺的方法,其特征是,步骤(4)中采用常规的三电极体系,以石墨炔纳米管/短多壁碳纳米管修饰的玻碳电极为工作电极、铂丝为对电极、饱和的甘汞电极为参比电极,利用微分脉冲伏安法对样品电解液进行检测,检测时的电位范围在-0.6~+1.2 V,优选电位范围为-0.3~+0.8 V,更优选为-0.1~+0.6 V;富集时间为1-30 min,优选为5-20 min,更优选为10-15 min;所述电解液为氯化钾溶液、氯化钠溶液、磷酸钾-磷酸氢钾溶液、磷酸二氢钠-磷酸钠溶液、硝酸钠溶液、硝酸钾溶液中的一种或多种,电解液的浓度为0.01-0.5 mol/L,优选为0.05-0.4 mol/L,更优选为0.1-0.3mol/L;富集方法为恒电位富集或开路富集,恒电位富集采用的电位为在-0.3~+0.4 V,优选电位范围为-0.2~+0.3 V,更优选为-0.1~+0.2 V。