1.一种光电二极管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成遮蔽层，所述衬底具有第一掺杂类型，所述衬底上设置有预设位置，所述预设位置为形成掺杂类型为第二掺杂类型的位置，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型不同，所述遮蔽层用于遮挡注入所述衬底的离子，所述遮蔽层的遮挡强度与所述遮蔽层的厚度相关；

对所述遮蔽层进行处理，使所述预设位置上方的遮蔽层的厚度小于非所述预设位置上方的遮蔽层的厚度，所述预设位置上方的遮蔽层的上表面为曲面；

通过所述遮蔽层对所述衬底进行离子注入，使注入的离子形成下表面为曲面的且具有第二掺杂类型的区域，以增加所述衬底与所述区域的接触面积；

去除所述遮蔽层，得到光电二极管。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述遮蔽层的材料为硬度大于预设硬度的材料时，所述对所述遮蔽层进行处理之前，还包括：在所述遮蔽层上形成光刻胶层；

对光刻胶层进行处理，使所述预设位置上方的光刻胶层的厚度小于非所述预设位置上方的光刻胶层的厚度，所述预设位置上方的光刻胶层的上表面为曲面；

所述对所述遮蔽层进行处理，包括：

对所述光刻胶层进行刻蚀处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述遮蔽层的材料为硬度小于或等于预设硬度的材料，且所述材料为光刻胶时，所述对所述遮蔽层进行处理，包括：对光刻胶层进行处理。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述对光刻胶层进行处理，包括：在所述光刻胶层上放置灰度掩膜版，并对所述光刻胶层进行曝光处理；

其中，若所述光刻胶层中的光刻胶为正性光刻胶，则使所述预设位置上方的所述灰度掩膜版的透光率大于位于非所述预设位置上方的所述灰度掩膜版的透光率，所述预设位置上方的所述灰度掩膜版的透光率与所述预设位置上方的光刻胶层的厚度负相关；若所述光刻胶层中的光刻胶为负性光刻胶，则使所述预设位置上方的所述灰度掩膜版的透光率小于位于非所述预设位置上方的所述灰度掩膜版的透光率，所述预设位置上方的所述灰度掩膜版的透光率与所述预设位置上方的光刻胶层的厚度正比关。

5.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述对光刻胶层进行处理，包括：采用直写式光刻对所述光刻胶层进行光刻处理；

其中，若所述光刻胶层中的光刻胶为正性光刻胶，则使所述预设位置上方的光刻强度大于非所述预设位置上方的光刻强度，所述预设位置上方的光刻强度与所述预设位置上方的光刻胶层的厚度负相关；若所述光刻胶层中的光刻胶为负性光刻胶，则使所述预设位置上方的光刻强度小于非所述预设位置上方的光刻强度，所述预设位置上方的光刻强度与所述预设位置上方的光刻胶层的厚度正相关。

6.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述对光刻胶层进行处理，包括：采用纳米压印对所述光刻胶层进行压印，使所述预设位置上方的压印深度大于非所述预设位置上方的压印深度，所述预设位置上方的压印深度与所述预设位置上方的光刻胶层的厚度负相关。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述遮蔽层的材料硬度为小于或等于预设硬度的材料，且所述材料为非光刻胶时，所述对所述遮蔽层进行处理，包括：采用纳米压印对所述遮蔽层进行压印，使所述预设位置上方的压印深度大于非所述预设位置上方的压印深度，所述预设位置上方的压印深度与所述预设位置上方的光刻胶层的厚度负相关。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述遮蔽层的上表面为球冠状曲面或梳齿形曲面。

9.一种光电二极管，其特征在于，包括：

具有第一掺杂类型的衬底，以及，在所述衬底中形成的具有第二掺杂类型的区域，所述区域自所述衬底上方的内表面向下伸出，所述区域的下表面为曲面，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型不同。

10.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：至少一个如权利要求9中所述的光电二极管。