1.一种用于延迟锁相环的电荷泵电路，其特征在于，包括：充放电流偏置电路(1)及电荷泵核心电路(2)，其中所述充放电流偏置电路(1)的信号输出端接所述电荷泵核心电路(2)的信号输入端；所述充放电流偏置电路(1)为所述电荷泵核心电路(2)提供偏置信号，电荷泵核心电路(2)用于产生电荷泵输出信号；所述充放电流偏置电路(1)采用工作在线性区MOS管作源极负反馈阻抗的电流镜结构；所述电荷泵核心电路(2)采用NMOS管M20栅极与PMOS管M19栅极相连且NMOS管M20源极接外部地线GND结构、PMOS管M21栅极与NMOS管M22栅极相连且PMOS管M21源极接外部电源VDD结构来抑制电荷泵的电荷共享效应，采用NMOS管M16、NMOS管M14、NMOS管M24构成放电反馈，采用PMOS管M15、PMOS管M13、PMOS管M23构成充电反馈，用于提高电荷泵充/放电电流匹配性能，采用PMOS管M17以及NMOS管M18分别构成MOS电容来抑制电荷泵开关阶段馈通引起的输出端Vctrl抖动；

所述充放电流偏置电路(1)包括：电流源Ib、NMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、NMOS管M9及NMOS管M10，其中电流源Ib的一端分别与PMOS管M3的源极、PMOS管M7的源极以及外部电源VDD相连，电流源Ib的另一端分别与NMOS管M1的漏极、NMOS管M1的栅极、NMOS管M5的栅极以及NMOS管M9的栅极相连，NMOS管M1的源极与NMOS管M2的漏极相连，NMOS管M2的栅极分别与NMOS管M6的栅极、NMOS管M10的栅极以及外部电源VDD相连，NMOS管M2的源极分别与NMOS管M6的源极、NMOS管M10的源极以及外部地GND相连，PMOS管M3的栅极分别与PMOS管M7的栅极以及外部地GND相连，PMOS管M3的漏极与PMOS管M4的源极相连，PMOS管M4的栅极分别与PMOS管M8的栅极、PMOS管M4的漏极以及NMOS管M5的漏极相连，NMOS管M5的源极与NMOS管M6的漏极相连，PMOS管M7的漏极与PMOS管M8的源极相连，NMOS管M9的源极与NMOS管M10的漏极相连；

所述充放电流偏置电路(1)中，NMOS管M2、NMOS管M6及NMOS管M10具有相同的沟道宽长比，NMOS管M1分别与NMOS管M5、NMOS管M9构成电流镜且具有相同的沟道宽长比，因而NMOS管M5的漏极电流I5与NMOS管M9的漏极电流I9有I5＝I9＝Ib，其中Ib为电流源Ib的电流；PMOS管M3与PMOS管M7具有相同的沟道宽长比，PMOS管M4与PMOS管M8构成电流镜且具有相同的沟道宽长比，因而PMOS管M8的漏极电流I8有I8＝Ib；NMOS管M9支路以及PMOS管M8支路为所述电荷泵核心电路(2)提供充/放电偏置信号；NMOS管M2、NMOS管M6及NMOS管M12的栅极均接外部电源VDD，PMOS管M3及PMOS管M7的栅极均接外部地GND，目的使得所述充放电流偏置电路(1)与所述电荷泵核心电路(2)匹配，从而抑制电路中电流镜匹配误差。

2.根据权利要求1所述的一种用于延迟锁相环的电荷泵电路，其特征在于，所述电荷泵核心电路(2)包括：PMOS管M11、NMOS管M12、PMOS管M13、NMOS管M14、PMOS管M15、NMOS管M16、PMOS管M17、NMOS管M18、PMOS管M19、NMOS管M20、PMOS管M21、NMOS管M22、PMOS管M23、NMOS管M24、与门nand1、缓冲器buff1、与门nand2以及缓冲器buff2，其中PMOS管M11的源极分别与PMOS管M15的源极、PMOS管M17的漏极、PMOS管M17的源极、PMOS管M19的源极、PMOS管M21的源极、NMOS管M12的栅极以及外部电源VDD相连，PMOS管M11的栅极分别与NMOS管M12的源极、NMOS管M16的源极、NMOS管M18的源极、NMOS管M18的漏极、NMOS管M22的源极、NMOS管M20的源极以及外部地GND相连，PMOS管M11的漏极分别与PMOS管M15的漏极以及PMOS管M13的源极相连，PMOS管M13的栅极分别与PMOS管M17的栅极、PMOS管M23的栅极、PMOS管M13的漏极以及NMOS管M9的漏极相连，NMOS管M14的漏极分别与NMOS管M14的栅极、NMOS管M24的栅极、NMOS管M18的栅极以及PMOS管M8的漏极相连，NMOS管M14的源极分别与NMOS管M12的漏极以及NMOS管M16的漏极相连，PMOS管M15的栅极分别与NMOS管M16的栅极、PMOS管M23的漏极、NMOS管M24的漏极以及信号输出端Vctrl相连，与门nand1的一输入端与信号Vd相连，与门nand1的另一输入端与信号UP相连，与门nand1的输出端与缓冲器buff1的输入端相连，缓冲器buff1的输出端分别与PMOS管M19的栅极以及NMOS管M20的栅极相连，PMOS管M19的漏极分别与NMOS管M20的漏极以及PMOS管M23的源极相连，NMOS管M24的源极分别与PMOS管M21的漏极以及NMOS管M22的漏极相连，与门nand2的一输入端与信号DN相连，与门nand2的另一输入端与信号Vd相连，与门nand2的输出端与缓冲器buff2的输入端相连，缓冲器buff2的输出端分别与PMOS管M21的漏极以及NMOS管M22的漏极相连。

3.根据权利要求2所述的一种用于延迟锁相环的电荷泵电路，其特征在于，所述电荷泵核心电路(2)中，PMOS管M17的源极及漏极均接外部电源VDD从而构成PMOS管电容，抑制PMOS管M23栅极信号波动，进而抑制PMOS管M23栅极波动信号馈通至漏极引起电荷泵输出端Vctrl抖动问题；NMOS管M18的源极及漏极均接外部地GND从而构成NMOS管电容，抑制NMOS管M24栅极信号波动，进而抑制NMOS管M24栅极波动信号馈通至漏极引起电荷泵输出端Vctrl抖动问题。

4.根据权利要求3所述的一种用于延迟锁相环的电荷泵电路，其特征在于，所述电荷泵核心电路(2)中，PMOS管M23与PMOS管M13构成电流镜并提供充电电流Icp，NMOS管M24与NMOS管M14构成电流镜并提供放电电流Icn；放电阶段，PMOS管M21关断，NMOS管M22开启，同时PMOS管M19关断以及NMOS管M20开启并抽取节点A的寄生电容的电荷，从而抑制当电荷泵从放电阶段转向充电阶段时电路输出端Vctrl与PMOS管M23源极端的电荷共享效应；充电阶段，NMOS管M20关断，PMOS管M19开启，同时NMOS管M22关断以及PMOS管M21开启并对节点B寄生电容充电，从而抑制当电荷泵从充电阶段转向放电阶段时电路输出端Vctrl与NMOS管M24源极端的电荷共享效应。

5.根据权利要求4所述的一种用于延迟锁相环的电荷泵电路，其特征在于，所述电荷泵核心电路(2)中，NMOS管M16、NMOS管M14以及NMOS管M24构成放电反馈，在放电阶段，NMOS管M22工作在线性区，NMOS管M24工作在饱和区电流I24有I24＝Icn，其中Icn为电荷泵放电电流，则有 其中，Vbn为NMOS管M24栅极电压，Vc为电荷泵输出端Vctrl电压，λn为NMOS管沟道调制效应系数，Ron22为工作在线性区NMOS管M22的沟道电阻，VTHn为NMOS管的阈值电压；NMOS管M24与NMOS管M14完全相同，NMOS管M12以及NMOS管M16工作在线性区，则有 其中，Ron12为工作在线性区NMOS管M12的

沟道电阻，μn为电子迁移率，(W/L)16为NMOS管M16的沟道宽长比，Cox为单位面积栅氧化层电容，Vgs14为NMOS管M14的栅源电压；在满足Ron12μnCox(W/L)16＝λn/2以及Vgs14＝IcnRon22+VTHn条件下，NMOS管M16、NMOS管M14以及NMOS管M24构成放电反馈电路。

6.根据权利要求5所述的一种用于延迟锁相环的电荷泵电路，其特征在于，

所述电荷泵核心电路(2)中，PMOS管M15、PMOS管M13以及PMOS管M23构成充电反馈，充电阶段PMOS管M19工作在线性区，PMOS管M23工作在饱和区，PMOS管M23漏极电流I23有I23＝Icp，其中Icp为电荷泵充电电流，则PMOS管M23的栅极电压Vbp与电荷泵输出端Vctrl的电压Vc的关系式为 其中，λp为PMOS管沟道调制效应，VDD为外部电源VDD电压，Ron19为工作在线性区PMOS管M19的沟道电阻，VTHp为PMOS管的阈值电压；PMOS管M13与PMOS管M23完全一样，PMOS管M13工作在饱和区，PMOS管M11与PMOS管M15均工作在线性区，则有 其中，Ron11为工作在线性区PMOS管M11的

沟道电阻，μp为空穴迁移率，Cox为单位面积栅氧化层电容，(W/L)15为PMOS管M15的沟道宽长比，Vgs13为PMOS管M13的栅源电压；在满足Ron11μpCox(W/L)15＝λp/2以及Vgs13＝‑IcpRon19‑|VTHp|条件下，PMOS管M15、PMOS管M13以及PMOS管M23构成的充电反馈电路。